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半導體超晶格國家重點實驗室
半導體超晶格國家重點實驗室，於1988年3月由國家計委組織專家論證並批准後開始籌建，1990年開始對外開放，1991年11月通過了由國家計委組織的驗收委...
基本簡介 學術委員會 科研隊伍 學術活動 研究方向 -
半導體材料
半導體材料（semiconductormaterial）是導電能力介於導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來製作半導體器件和集成...
基本簡介 主要種類 實際運用 寬頻隙半導體材料 低維半導體材料 -
超純金屬
超純金屬，指的化學雜質和物理雜質 (晶體缺陷) 含量極少的金屬。目前主要以化學雜質的含量為標準，常以雜質在金屬中總含 量的百萬分之幾表示 。 超純金屬是...
純度表示 製備方法 檢測方法 方法分析 研究意義 -
半導體
半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介於導體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以...
定義 分類 相關短語 發展歷史 特點 -
半導體材料[物理名詞]
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍內...
簡介 主要種類 新型材料 實際運用 相關材料 -
超純氨
Gas)(可燃性氣體)。 GAS(可燃性氣體)。 ：SiCl4+NH3---Si3N4+HCl+N2。
物理性質 化學性質 發展歷程 -
峨嵋半導體材料研究所高純事業部
峨嵋半導體材料研究所，原代號“739”，是國家242所重點科研所之一，是1964年10月由原冶金部有色金屬研究院338室和瀋陽冶煉廠高純金屬車間為主組建...
峨嵋半導體材料研究所 峨嵋半導體材料研究所高純事業部 高純金屬及其氧化物、高純合金 -
化合物半導體
具有半導體特性的化合物，它由兩種或兩種以上的元素組成。多採用布里奇曼法(由熔體生長單晶的一種方法)、液封直拉法、垂直梯度凝固法製備化合物半導體單晶，用外...
簡介 種類 發展 學的內容化 -
半導體探測器
半導體探測器 是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和矽，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是...
發展歷史 基本原理 半導體探測器的特點 P-N結半導體探測器 鋰漂移型探測器 -
峨嵋半導體材料廠
半導體材料廠、峨嵋半導體材料研究所，簡稱：“峨半”。座落在舉世聞名的旅遊勝地峨眉山腳下，占地面積1400餘畝。峨半是1964年10月以原冶金部有色金屬研...
概述 成就目標 發展歷程 改革成就 發展前景
