相關詞條
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絕緣柵雙極電晶體
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR...
簡介 IGBT的結構與工作原理 IGBT 的工作特性 IGBT的工作原理 參考資料 -
絕緣柵場效應管
絕緣柵場效應管的種類較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前套用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管,通常...
結構和符號 工作原理 主要參數 -
絕緣柵型場效應管
絕緣柵型場效應管,也稱金屬氧化物半導體三極體,它分為增強型(Enhancement-mode)和耗盡型(depletion-mode)兩大類.增強型和耗...
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絕緣柵場效應功率電晶體
"根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件...
介紹 參考資料 -
絕緣柵雙極型電晶體封裝
"一種絕緣柵雙極型電晶體封裝用有機矽凝膠材料本發明公開了一種絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)封裝用有機矽凝膠材料,包括按重量份數計75~98%的含乙烯基的...
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絕緣柵雙極型電晶體
sistor,IG召T)一種場控自關斷的電力電子器件,又稱絕緣門極雙極型電晶體。 IGBT的等效電路、圖形符號如圖(a)所示,圖(b)、(c)分別為其轉...
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敏感柵
"金屬電阻應變片的核心結構部件是"敏感柵". 為了使應變片既具有一定的電阻值
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柵極和浮置柵
柵極和浮置柵是最靠近陰極的一個電極,具有改變電子管的性能等作用。
柵極/浮置柵 IGBT的柵極出現過壓的原因 參考資料 -
柵漏電流
電容介質不可能絕對不導電,當電容加上直流電壓時,電容器會有柵漏電流產生。 電壓 2.http://www.dian
電源 電容 計算公式 相關詞條 參考資料 -
多柵電晶體技術
而多柵電晶體技術是每個電晶體有兩個或三個柵,從而提高了電晶體控制電流的能力(即計算能力),並降低了功耗,減少了電流間的相互干擾。 目前,英特爾、AMD(...