圖書相信
作 者： 虞麗生 著
內容簡介
本書總結了國內外半導體異質結方面的研究成果，系統地介紹了半導體異質結的基本物理原理和特性。全書共分10章，內容包括半導體異質結材料特性，能帶圖，伏安特性，異質結電晶體，二維電子氣及調製摻雜器件，異質結結中非平衡載流子特性、半導體異質結雷射器、半導體異質結的光電特性、氮化鎵異質結、超晶格和多量子阱。
本書可供已學過半導體物理的高年級本科生、研究生及相關人員閱讀。
目錄
第二版前言
第一版前言
第1章 序言
參考文獻
第2章 半導體異質結的組成與生長
2．1材料的一般特性
2．1．1晶格結構
2．1．2能帶結構
2．1．3有效質量和等效態密度
2．2異質結界面的晶格失配
2．3異質結的生長
2．3．1液相外延法(LPE)
2．3．2金屬有機化學氣相沉積法(M0cvD)
2．3．3分子束外延(MBE)
思考題
參考文獻
第3章 半導體異質結的能帶圖
3．1理想突變異質結的能帶圖
3．1．1異型異質結——Anderson模型
3．1．2同型異質結
3．1．3對pN異質結的修正
3．2異質結的能帶帶階
3．2．1 Anderson定則及有關爭議
3．2．2測量能帶帶階的方法
3．3有界面態的突變異質結能帶圖
3．3．1界面態密度較小
3．3．2界面態密度較大
3．3．3界面態密度很大
3．4漸變異質結的能帶圖
思考題
參考文獻
第4章 半導體異質結的伏安特性和異質結電晶體
4．1異質結的注入比
4．2異質結中的超注入現象
4．3理想突變異質結的伏安特性
4．3．1 pN異質結
4．3．2 nN異質結
4．4有界面態的異質結的伏安特性
4．4．1熱電子發射和多階隧道的並聯模型
4．4．2界面能級的電離對伏安特性的影響
4．4．3空間電荷區的複合電流
4．4．4完全經由界面態的複合電流
4．4．5表面複合對伏安特性的影響
4．5伏安特性的微商研究法
4．6異質結雙極電晶體
4．6．1理論分析
4．6．2異質結雙極電晶體的製備
4．7 GezSi-x/Si異質結器件
4．7．1 GexSi-/Si異質結的基本特性
4．7．2遷移率和輸運特性
4．7．3 GexSi-x/Si雙極電晶體和場效應電晶體
思考題
參考文獻
第5章 半導體異質結構中的二維電子氣及調製摻雜器件
5．1方形勢阱中粒子運動的特性
5．1．1一維方形勢阱
5．1．2方形溝道勢阱中的粒子
5．2異質結量子勢阱中的二維電子氣
5．2．1方形勢阱的簡單分析
5．2．2異質結界面的量子阱
5．2．3勢阱中的面電子密度
5．2．4界面組分漸變對勢阱的影響
5．3二維電子氣的輸運
5．3．1二維弛豫時間近似
5．3．2二維電子氣的散射
5．4調製摻雜結構和場效應電晶體
5．5強磁場中的二維電子氣
5．5．1磁量子效應和磁阻振盪
5．5．2二維電子氣的朗道能級
5．5．3量子霍爾效應
思考題
參考文獻
第6章 半導體異質結中的非平衡載流子
6．1過剩載流子的特性
6．1．1準費米能級
6．1．2過剩載流子的壽命
6．1．3過剩載流子的擴散
6．2異質結中的過剩載流子
6．3異質結中過剩載流子壽命的測量
6．3．1螢光脈衝衰減法
6．3．2反向電壓恢復法
6．3．3雷射延遲法
6．3．4光電流法
6．4熱載流子的一般特性
6．4．1電子溫度和分布函式
6．4．2熱載流子的漂移和擴散
6．4．3載流子在能谷之間的轉移
6．5研究熱載流子特性的實驗方法
6．5．1遷移率測量
6．5．2光螢光譜測量
6．5．3吸收光譜測量
6．5．4拉曼散射測量
6．5．5隧道效應測量
6．5．6時間分辨光譜的測量
6．6異質結中的熱電子行為
6．6．1異質結中熱電子的光螢光譜
6．6．2異質結中電子遷移率隨電場的變化
6．6．3異質結中熱載流子的遠紅外發射
6．6．4異質結中熱載流子的弛豫
6．6．5異質結中熱電子的實際空間轉移
6．7幾種實空間轉移器件
6．7．1負阻振盪器
6．7．2負阻場效應電晶體(NERFET)
6．7．3 電荷注人電晶體(chint)
思考題
參考文獻
第7章 半導體異質結雷射器及光波導
7．1半導體受雷射發射的基本原理
7．1．1半導體中光的吸收、自發輻射和受激輻射
7．1．2半導體中受雷射發射的必要條件
7．1．3半導體的吸收譜和增益譜
7．1．4異質結對電流的限制作用
7．2半導體雷射器的閾值條件
7．2．1閾值增益
7．2．2半導體雷射器的縱模
7．3增益和電流的關係，量子效率和增益因子
7．4半導體異質結雷射器的橫模
7．4．1半導體異質結光波導效應的理論分析
7．4．2半導體雷射器的條形結構
7．5半導體雷射器增益譜的測量
7．6半導體異質結光波導
7 6．1脊形光波導
7．6．2組分無序化光波導
7．6．3光彈光波導
思考題
參考文獻
第8章 半導體異質結的光電特性
8．1異質結的光伏特性和光電流
8．2鍵合異質結的光電流
8．3用光電導方法測量AlGaN/GaN異質結中Al的組分
8．4用光反射測量A1GaN及AlGaN/GaN異質結中Al的組分
8．5 用光電流方法測量金屬和GaN及AlGaN/GaN異質結構肖特基
勢壘的高度
8．6異質結光電電晶體
思考題
參考文獻
第9章 氮化鎵材料及其異質結特性
9．1氮化鎵的基本物理特性
9．2金屬和GaN及AlGaN/GaN的肖特基接觸
9．2．1基本特性
9．2．2金屬/GaN肖特基勢壘中電子的輸運機制
9．2．3金屬和A1CaN/GaN結構的肖特基結
9．3金屬在AlGaN上的肖特基結勢壘高度和Al組分的關係
9．4 p型GaN材料的特殊情況
9．4．1空穴濃度
9．4．2金屬在p-GaN上的肖特基接觸
9．5 AlGaN/GaN和InGaN/GaN的自發極化和壓電極化
9．5．1壓電效應的由來及其對器件的影響
9．5．2壓電效應引起的量子限制斯塔克(QCSE)效應
9．6 InGaN/GaN量子阱發光管和雷射器中發光均勻性和光譜特性
9．6．1 InGaN/GaN量子阱發光的不均勻性
9．6．2光譜特性
9．7 GaN的電子器件
思考題
參考文獻
第10章 半導體超晶格和多量子阱
10．1超晶格和多量子阱的一般描述
10．2超晶格的能帶
10．2．1 GaAs—Alz Ga1-xAs超晶格
10．2．2 InAs-GaSb超晶格
10．2．3 HgTe-CdTe超晶格
10．2．4應變層超晶格
10．2．5 Iv-VI族和II-V族超晶格
10．2．6摻雜超晶格
10．3垂直於超晶格方向的電子輸運
10．4超晶格的光譜特性
10．4．1吸收光譜實驗
10．4．2激子光譜
10．4．3激子的飽和吸收
10．4．4室溫螢光特性
10．4．5其他光譜特性
10．5超晶格和量子阱器件
10．5．1量子阱雷射器
lO．5．2光學雙穩態器件
10．6量子阱和超晶格的近期進展
10．6．1量子限制斯塔克效應(QCSE)
10．6．2超晶格子能帶的電學研究
10．6．3量子阱超晶格光電接收器
10．6．4 Wannier—Stark效應
10．6．5超晶格紅外級聯雷射器
10．6．6超晶格中的布洛赫振盪
思考題
參考文獻
部分參考答案
常用物理常數表
