基本介紹
禁能量區的英文名為forbidd enenergy rangc。
根據泡利不相容原理，每個原子能級上能夠容納自旋方向相反的兩個電子，因此由Ⅳ個能級組成的能帶中可容納2N個電子。根據電子先占據低能態這一原理，下面能帶填滿了電子，上面的能帶沒有電子占據。對於滿帶，所有能級均被電子占據，在外電場作用下，電子並不能形成電流。對於被電子部分占據的能帶，在外電場作用下，電子可以吸收能量躍遷到未被電子占據的能級去，從而形成電流，起導電作用。對於任何半導體材料，都有一個禁止能量區，在禁止能量區內不存在允許的能帶。在這一能隙的上方允許有能量區或能帶，稱為導帶；能隙的下方允許有能量區或能帶，稱為價帶。導帶最低能量與價帶最高能量的間隙稱為帶隙死，即禁頻寬度。價鍵上的電子激發成為準自由電子，即價帶電子激發成為導帶電子的過程，稱為本徵激發。
舉例
半導體晶體的能帶結構是用E（k）與七的關係來表示的。根據導帶底和價帶頂所對應的庀值位置，可分為兩種能帶結構。一種是導帶極小值與價帶極大值處於相同的七值處（包括k=0的布里淵區原點，Γ點），稱為直接帶隙半導體；另一種是導帶極小值與價帶極大值處於不同的七值處，稱為間接帶隙半導體。由於兩類半導體在能帶結構上的差別，使它們的電學性質和光學性質都表現出很大的差異。下面介紹幾種重要半導體的能帶結構。
