專利信息
專利申請號： 200480013799 申請日： 2004/05/19
公開日： 2006/06/21 公告日： 2008/02/13
公開號： 1791551 公告號： 100368288
授權日： 2008-2-13 授權公告日： 2008-2-13
專利類別： 發明 國別省市代碼： JP[日本]
代理機構代碼： 11219[對照表] 代理人： 穆德駿 樊衛民
發明名稱： 碳納米角製造裝置和碳納米角製造方法
國際分類號： C01B 31/02
發明人： 莇丈史;糟屋大介;飯島澄男;吉武務;久保佳實;湯田坂雅子
申請人： 日本電氣株式會社
申請人地址： 日本東京
製造方法
通過用雷射束（１０３）照射石墨桿（１０１）側面，蒸發碳產生煙羽（１０９）。通過回收管（１５５）將蒸發的碳引入碳納米角回收室（１１９），並且蒸發的碳回收成碳納米角聚集體（１１７）。含有液氮（１５１）的冷卻槽（１５０）設定在回收管（１５５）內。冷卻槽（１５０）將煙羽（１０９）控制在低溫，並且當碳蒸汽通過回收管（１５５）時，冷卻槽（１５０）冷卻碳蒸氣。冷卻的碳蒸氣回收成碳納米角聚集體（１１７），這樣控制所需的形狀和大小。
製造裝置
製造裝置（主權利要求）一種碳納米角包括： 固持石墨靶的靶固持單元； 用光照射所述石墨靶表面的光源； 冷卻因所述光照射而從所述石墨靶蒸發的碳蒸汽的冷卻單元；及 回收所述冷卻單元冷卻的所述碳蒸汽以得到碳納米角的回收單元。
優先權項：
JP 2003-5-20 142450/2003
PCT 項
進入國家階段日： 2005年11月21日 國際申請號： PCT/JP2004/006744
國際申請日： 2004年5月19日 國際公布日： 2004年12月2日
國際公布號： WO2004/103902 國際公布語言： 日
