矽積體電路工藝基礎

《矽積體電路工藝基礎》由北京大學出版社出版，作者關旭東。本書系統地講述了矽積體電路製造的基礎工藝，重點放在工藝物理基礎和基本原理上。

內容簡介

全書共十章，其中第一章簡單地講述了矽的晶體結構，第二章到第九章分別講述了矽積體電路製造中的基本單項工藝，包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最後一章講述的是工藝集成。

本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事積體電路製造的工藝技術人員閱讀。

圖書目錄

前言

第一章 矽的晶體結構

1.1 矽晶體結構的特點

1.1.1 晶胞

1.1.2 原子密度

1.1.3 共價四面體

1.1.4 晶體內部的空隙

1.2 晶向、晶面和堆積模型

1.2.1 晶向

1.2.2 晶面

1.2.3 堆積模型圖

1.2.4 雙層密排面

1.3 矽晶體中的缺陷

1.3.1 點缺陷

1.3.2 線缺陷

1.3.3 面缺陷

1.3.4 體缺陷

1.4 矽中雜質

1.5 雜質在矽晶體中的溶解度

參考文獻

第二章 氧化

第三章 擴散

第四章 離子注入

第五章 物理氣相澱積

第六章 化學氣相澱積

第七章 外延

第八章 光刻與刻蝕工藝

第九章 金屬化與多層互連

第十章 工藝集成

附錄

縮略語及物理量