內容簡介
碳化矽以其優異的溫度特性、電遷移特性、機械特性等，越來越被微電子和微機電系統研究領域所關注，不斷有新的研究群體介入這一材料及其套用的研究。《用於惡劣環境的碳化矽微機電系統》是目前譯者見到的唯一一本系統論述碳化矽微機電系統的著作，作者是來自英國、美國從事碳化矽微機電系統研究的幾位學者，他們系統綜述了碳化矽生長
用於惡劣環境的碳化矽微機電系統《用於惡劣環境的碳化矽微機電系統》可供從事微電子、微機械研究的科研人員參考閱讀，也可以作為研究生專業課程教材或參考書目。
圖書目錄
譯者序
前言
第1章 SiCMEMS概述
1.簡介
2.SiC材料性能
3.製作微機電(MEM)器件
4.表面改性
5.SiCMEMS的頻率調諧
6.MEMS的機械測試
7.套用舉例
8.小結
參考文獻
第2章 SiCMEMS沉積技術
1.概述
2.與SiC沉積相關的問題
3.APCVD
4.(2VD
5.LPCVD
6.LPCⅧSiC薄膜的摻雜
7.其他沉積方法
8.小結
參考文獻
第3章 與SiC接觸開發相關的問題綜述
1.概述
2.熱穩定性
3.p型SiC的歐姆接觸
4.使用Ni的歐姆接觸
5.肖特基接觸缺陷的影響
6.小結
參考文獻
第4章 SiC的乾法刻蝕
1.概述
2.等離子刻蝕基礎
3.SiC的等離子刻蝕
4.電漿化學
5.掩膜材料
6.近期發展及未來展望
7.小結
參考文獻
第5章 SiCMEMS的設計、性能和套用
1.概述
2.SiCMEMS器件
3.結論和展望
參考文獻
附錄
