公司簡介
力晶於八十三年十二月創立於新竹科學園區，業務範圍涵蓋動記憶體製造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在台灣正式掛牌上櫃。八十八年發行全球存托憑證，成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上櫃公司。截至九十六年底，力晶擁有六千一百位員工，資本額達新台幣七百八十二億元，年度營收為新台幣七百七十五億元。
為提升國際競爭力及科技實力，力晶在設立之初即和日本三菱電機締結技術、生產與銷售的策略聯盟；目前則與日本DRAM大廠爾必達（Elpida）合作產銷最尖端DRAM產品。另一方面，力晶亦為日商瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)的主要代工夥伴，發展系統晶片(System LSI)產品。九十五年力晶和爾必達簽訂共同開發50奈米DRAM製程技術備忘錄，掌握關鍵科技自主能力；同年，力晶也與瑞薩達成協定，取得AG-AND Flash技術授權，成為我國第一家具備高容量快閃記憶體產銷實力的半導體廠商。
力晶位於新竹科學園區的首座八吋晶圓廠（8A廠）自八十五年開始運轉，投入生產DRAM，並於今年分割獨立為鉅晶電子(股)公司，專注於利基型DRAM、驅動IC等晶圓代工之業務；目前力晶擁有三座總月產能達十三萬片的十二吋晶圓廠(P1/P2/P3廠)，為全國最大的記憶體製造公司。九十五年十二月，力晶更與爾必達於台灣中部科學園區后里基地合資設立瑞晶電子公司，計畫斥資新台幣4,500億元建置全球最大十二吋晶圓DRAM廠區。另外，力晶也於今年動土興建第四座與第五座十二吋晶圓廠（P4/P5廠）。
精進技術、服務客戶、成為穩定獲利的世界級半導體公司，是我們的願景。力晶以先進的科技和產能，針對資訊、通信及消費性電子市場提供多樣化的DRAM產品、高容量快閃記憶體(Flash)、CMOS影像感測器及多元化代工服務。未來，力晶將持續推展國際合作策略、引進尖端科技、穩健投資擴張，在快速變遷的高科技產業中累積競爭優勢，成為與客戶共創雙贏的全方位記憶體供應商。
歷史沿革
1994 年 12 月 力晶半導體股份有限公司成立。
1995 年 03 月 八吋晶圓廠(8A廠)動土典禮。
1996 年 04 月 8A廠正式啟用。
10 月 8A廠開始量產0.40微米 16Mb DRAM / SDRAM。
1997 年 12 月 獲頒 ISO 9002 國際品保系統驗證證書。
1998 年 02 月 8A廠量產 0.30 微米 64Mb DRAM / SDRAM。
03 月 公司股票正式以科技類股於櫃買中心掛牌上櫃。
07 月 切入代工服務領域有成，第一家美國代工客戶產品試產成功。
12 月 獲頒 ISO 14001 國際環境管理系統驗證證書。
1999 年 06 月 與世界先進及三菱電機簽訂策略聯盟合作備忘錄，共組聯盟關係。
11 月 發行第一次海外存托憑證，總金額達美金288,900,000元。
2000 年 07 月 舉行第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。
2001 年 05 月 發行第一次公司債(含海外公司債)，總額達美金200,000,000元。
09 月 榮獲經濟部工業局所舉辦的第十二屆「品質優良案例獎」。
2002 年 10 月 通過OHSAS 18001職業安全衛生評估系列驗證。
11 月 第一座十二吋晶圓廠(Fab P1)正式量產。
2003 年 01 月 謝再居博士接任總經理肩負營運重責。
08 月 力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術轉移契約。
10 月 第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。
2004 年 04 月 力晶十二吋晶圓廠代工業務正式投片。
09 月 力晶員工診所開幕。
2005 年 01 月 獲頒ISO / TS 16949證書。
03 月 P2廠正式啟用。
05 月 力晶開始以十二吋晶圓廠生產高容量快閃記憶體。
2006 年 01 月 與旺宏達成協定購入晶圓廠房，並命名為 12M廠。
02 月 與瑞薩 (Renesas) 達成AG-AND 快閃記憶體技術授權協定。
12 月 與爾必達簽訂合作備忘錄，將設合資公司以新台幣4,500億元於台灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區；雙方並決定共同開發50奈米DRAM製程技術。
2007 年 06 月 力晶研發測試中心動土典禮。
10 月 與爾必達合資之瑞晶電子公司第一座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。
2008 年 04 月 8A廠獨立為鉅晶電子公司。
4 月 與日商瑞薩、SHARP合資設立Renesas SP公司，共同拓展LCD驅動晶片市場。
4 月 第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。
