電阻絲蒸鍍法
電阻絲蒸發鍍法是在真空室中利用電阻絲加熱SiO，在這種情況下溫度可高達1700℃，高溫及真空環境使SiO以原子或分子的形態從其表面氣化逸出，形成蒸氣流並隨後在基材表面沉積，從而製得含SiOx（Si3O4 、S2O3和 SiO2等物質的混合物）鍍層的阻隔性包裝薄膜。
電子束蒸發鍍膜法
電子束蒸發鍍膜法是將SiO放入到水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱使之蒸發氣化，然後凝結在基材的表面上，從而形成SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度和更高的蒸發溫度（一般，電子束加熱能量可達20kW/cm2，溫度可高達3000~6000℃），因而特別適合製作高熔點薄膜類材料和高純度薄膜材料，並且能擁有較高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔性較之電阻絲蒸鍍法生產的產品，也有顯著提高。
濺射法
 濺射法也稱為“磁控濺射法”或者“高速低溫濺射法”。這種方法是採用單元素靶材濺射並倒入反應氣體，所進行的反應稱為“反應濺射”。通過調節沉積工藝參數，可以製備出化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜鍍層的組成來調控薄膜特性的目的。 磁控濺射所需設備簡單且操作方便，在濺射鍍膜過程中，只要保持工作氣壓和濺射功率恆定，基本上可獲得穩定的沉積速率。與蒸發法相比，它具有鍍膜層與基材的結合力強，鍍膜層緻密、均勻等優點。但是這種方法的最大缺點在於其沉積速率相對較低，此外還可能發生靶中毒，引起打火和濺射過程不穩定，以及膜有缺陷等等，這些缺點限制了它的套用，因此有待進一步改進。
