無掩膜光刻

無掩膜光刻是一類不採用光刻掩膜版的光刻技術，即採用電子束直接在矽片上製作出需要的圖形。無掩膜光刻可與光學光刻相比擬的新技術。無掩膜光刻其具備解析度高、成本較低等優勢，但也存在著生產效率低、電子束之間的干擾易造成鄰近效應等缺陷。

簡介

無掩膜光刻是一類不採用光刻掩膜版的光刻技術，即採用電子束直接在矽片上製作出需要的圖形。其具備解析度高、成本較低等優勢，但也存在著生產效率低、電子束之間的干擾易造成鄰近效應等缺陷。

可與光學光刻相比擬

無掩膜光刻作為一種可與光學光刻相比擬的新技術，無掩膜光刻能幫助半導體器件製造商更快地完成從設計到將圖形製作在晶圓上的過程。《國際半導體技術發展路線圖》（ITRS）公布的光刻規劃中，無掩膜技術可在32納米的技術節點上顯現，其被認為適用於32納米及更先進的晶片生產。但當前業界普遍認為，浸入式光刻與雙重圖形技術很可能在32納米的節點上繼續沿用，而更小的技術節點或將採用超紫外光刻(EUV)技術。無掩膜光刻只是降低光掩膜成本的一個潛在解決方案，其在產能等一系列問題解決之前，很可能只是一種細分的光刻技術，仍需時日才可與主流光刻技術同台競技。