簡介
微加工導論 本書將是學習微結構和微加工技術的電子工程、化學、機械、物理和材料科學等領域的一本優秀教材，可套用於微電子、微機電系統（MEMS）、光電子或相關新興領域。
目錄
第一部分緒論第1章概述
1.1微加工學科分類
1.2基片
1.3材料
1.4表面和界面
1.5工藝
1.6橫向尺度
1.7垂直尺寸
1.8器件
1.9金屬氧化物半導體電晶體
1.10淨化和成品率
1.11產業
1.12習題
參考文獻與相關閱讀材料
第2章微測量和材料表征
2.1顯微法和可視化
2.2橫向和垂直尺寸
2.3電學測試
2.4物理和化學分析
2.5X射線衍射
2.6全反射X射線螢光
2.7二次離子質譜
2.8俄歇電子波譜法
2.9X射線光電子波譜法
2.10盧瑟福背散射能譜法
2.11電子微探針分析/能量分散X射線分析
2.12其他方法
2.13分析面積和深度
2.14微測試實用要點
2.15習題
參考文獻與相關閱讀材料
第3章微加工工藝模擬
3.1模擬類型
3.2一維模擬
3.3二維模擬
3.4三維模擬
3.5習題
參考文獻與相關閱讀材料
第二部分材料
第4章矽
4.1矽材料性能
4.2矽的晶體生長
4.3矽的晶體結構
4.4矽切片工藝
4.5矽晶體中的缺陷和非理想狀態
4.6習題
第5章薄膜材料和工藝
5.1薄膜與塊狀材料
5.2物理氣相沉積
5.3蒸發和分子束外延生長
5.4濺射
5.5化學氣相沉積
5.6其他沉積方法
5.7金屬薄膜
5.8介電薄膜
5.9介電薄膜的性能
5.10多晶矽
5.11矽化物
5.12習題
參考文獻與相關閱讀材料
第6章外延
6.1異質外延
6.2矽的CVD同質外延
6.3外延的模擬
6.4外延的先進套用
6.5習題
參考文獻和相關閱讀材料
第7章薄膜生長和結構
7.1薄膜工藝的一般特徵
7.2PVD膜的生長和結構
7.3CVD膜的生長和結構
7.4表面和界面
7.5黏附層和阻擋層
7.6多層膜
7.7應力
7.8薄膜上方形貌:台階覆蓋
7.9薄膜沉積的模擬
7.10習題
參考文獻與相關閱讀材料
第三部分基本工藝
第8章圖形發生器
8.1粒子束刻蝕法
8.2電子束的物理特性
8.3掩模版的製造
8.4將掩模版作為工具
8.5掩模版檢查、缺陷和修復
8.6習題
參考文獻與相關閱讀材料
第9章光刻
9.1光刻設備（對準和曝光）
9.2解析度
9.3基本圖形形狀
9.4對準和套準
9.5習題
參考文獻與相關閱讀材料
第10章光刻圖形化
10.1光刻膠的套用
10.2光刻膠化學
10.3光刻膠薄膜光學
10.4光學光刻延伸技術
10.5光學光刻模擬
10.6光刻的實踐
10.7光刻膠去膠或灰化
10.8習題
參考文獻與相關閱讀材料
第11章刻蝕
11.1濕法刻蝕
11.2電化學刻蝕
11.3各向異性濕法刻蝕
11.4電漿刻蝕
11.5刻蝕工藝表征
11.6常用材料的刻蝕工藝
11.7刻蝕時間和邊牆
11.8濕法刻蝕、各向異性濕法刻蝕以及電漿刻蝕的比較
11.9習題
參考文獻與相關閱讀材料
第12章晶圓片清洗和表面預處理
12.1雜質的形式
12.2濕法清洗
12.3顆粒污染
12.4有機雜質
12.5金屬雜質
12.6沖洗和烘乾
12.7物理清洗法
12.8習題
參考文獻與相關閱讀材料
第13章熱氧化
13.1氧化過程
13.2迪爾-格羅夫（Deal-Grove）氧化模型
13.3氧化物的結構
13.4氧化過程的模擬
13.5矽的局部氧化
13.6氧化時應力和圖形的影響
13.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第14章擴散
14.1擴散機理
14.2擴散時的摻雜剖面形貌
14.3擴散模擬
14.4擴散套用
14.5習題
參考文獻與相關閱讀材料
第15章離子注入
15.1注入工藝
15.2注入損傷和損傷退火
15.3離子注入模擬
15.4離子注入的工具
15.5SIMOX:通過離子注入來製造絕緣體上的矽
15.6習題
參考文獻與相關閱讀材料
第16章化學機械拋光
16.1CMP工藝和設備
16.2CMP的力學
16.3CMP的化學
16.4CMP的套用
16.5CMP控制測量
16.6CMP中的非理想情況
16.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第17章鍵合和圖層轉移
17.1矽熔融鍵合
17.2陽極鍵合
17.3其他鍵合技術
17.4鍵合力學
17.5結構化晶圓片的鍵合
17.6SOI晶圓片工廠中的鍵合
17.7圖層轉移
17.8習題
參考文獻與相關閱讀材料
第18章澆鑄和壓印
18.1鑄造
18.2二維表面壓印
18.3三維體壓印
18.4與光刻的比較
18.5習題
參考文獻與相關閱讀材料
第四部分結構
第19章自對準結構
19.1MOS柵模組
19.2自對準雙阱
19.3邊牆與自對準矽化物
19.4自對準結
19.5習題
參考文獻與相關閱讀材料
第20章電漿刻蝕結構
20.1多步刻蝕
20.2多層刻蝕
20.3刻蝕中的光刻膠效應
20.4無掩膜的刻蝕
20.5圖形尺寸和圖形密度效應
20.6刻蝕殘留和損傷
20.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第21章濕法刻蝕的矽結構
21.1<100>矽基片的基本結構
21.2刻蝕劑
21.3刻蝕掩膜和保護層
21.4刻蝕速率與刻蝕自動終止
21.5隔膜的製備
21.6在<100>矽片上的刻蝕形成具有複雜形狀的結構
21.7矽片正面的體微加工
21.8邊角補償
21.9<110>矽片的刻蝕
21.10<111>矽片的刻蝕
21.11<100>矽、<110>矽與<111>矽濕法刻蝕的比較
21.12習題
參考文獻與相關閱讀材料
第22章犧牲層與釋放型結構
22.1結構層與犧牲層
22.2單結構層
22.3黏滯
22.4雙結構層工藝
22.5旋轉結構
22.6絞鏈結構
22.7使用多孔矽的犧牲層結構
22.8習題
參考文獻與相關閱讀材料
第23章沉積結構
23.1電鍍結構
23.2剝離金屬化
23.3特殊沉積的套用
23.4局部沉積
23.5腔穴的密封
23.6習題
參考文獻與相關閱讀材料
第五部分集成
第24章工藝集成
24.1太陽能電池的工藝集成
24.2晶圓片的選擇
24.3圖形
24.4設計規則
24.5污染預算
24.6熱工藝
24.7熱預算
24.8金屬化
24.9可靠性
24.10習題
參考文獻與相關閱讀材料
第25章CMOS電晶體製造
25.15μm多晶矽柵CMOS工藝
25.2MOS電晶體的按比例縮小
25.3先進CMOS的問題
25.4柵模組
25.5與矽的接觸
25.6習題
參考文獻與相關閱讀材料
第26章雙極工藝技術
26.1SBC雙極型電晶體的加工工藝
26.2先進雙極結構
26.3BiCMOS工藝技術
26.4習題
參考文獻與相關閱讀材料
第27章多層金屬布線
27.1雙層金屬布線
27.2多層金屬布線
27.3大馬士革金屬布線（鑲嵌金屬布線）
27.4金屬布線的按比例縮小
27.5銅金屬布線
27.6低電介質材料
27.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第28章MEMS工藝集成
28.1雙面加工工藝
28.2隔膜結構
28.3矽穿孔結構
28.4在相當不平表面上的圖形化
28.5DRIE與各向異性濕法刻蝕
28.6IC-MEMS集成
28.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第29章基於非矽基底的工藝技術
29.1基底
29.2薄膜電晶體
29.3習題
參考文獻與相關閱讀材料
第六部分設備
第30章微加工設備
30.1批處理工藝與單晶圓工藝
30.2設備的性能因素
30.3設備的生命周期
30.4工藝狀態:溫度-壓力
30.5工藝設備的仿真
30.6加工工藝的測量
30.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第31章熱處理設備
31.1高溫設備:熱壁設備與冷壁設備
31.2爐管工藝
31.3快速熱處理/快速熱退火
31.4習題
參考文獻與相關閱讀材料
第32章真空和電漿
32.1真空薄膜的相互作用
32.2真空的獲得
32.3電漿刻蝕
32.4濺射
32.5PECVD
32.6滯留時間
32.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第33章化學氣相沉積和外延設備
33.1CVD沉積速率模型
33.2CVD反應腔室
33.3原子層沉積
33.4MOCVD
33.5矽CVD外延
33.6外延反應器
33.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第34章集成式工藝
34.1周圍環境的控制
34.2乾法清洗
34.3集成式設備
34.4習題
參考文獻與相關閱讀材料
第七部分製造
第35章淨化室
35.1淨化室的標準
35.2淨化室子系統
35.3環境、安全和健康（ESH）方面
35.4習題
參考文獻與相關閱讀材料
第36章成品率
36.1成品率模型
36.2工藝步驟的影響
36.3成品率的上升
36.4習題
參考文獻與相關閱讀材料
第37章晶圓加工廠
37.1積體電路製造的發展史
37.2製造趨勢
37.3循環時間
37.4所有者成本
37.5矽工藝的成本
37.6習題
參考文獻與相關閱讀材料
第八部分未來趨勢
第38章摩爾定律
38.1從電晶體到積體電路
38.2摩爾定律
38.3延伸的光刻技術:相移掩模版
38.4可供選擇的光刻方法
38.5功能和套用的限制
38.6積體電路產業
38.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
第39章微加工概要
39.1新材料
39.2高深寬比結構
39.3微加工設備
39.4鍵合和層轉移
39.5器件
39.6微加工工業
39.7習題
參考文獻與相關閱讀材料
附錄A部分習題的注釋與提示
附錄B常量和轉換係數
索引
