溝道穿通效應

溝道穿通效應，就是場效應電晶體的源結與漏結的耗盡區相連通的一種現象。

溝道穿通效應（Channel punchthrough effect ）就是場效應電晶體的源結與漏結的耗盡區相連通的一種現象。這種效應是在小尺寸場效應電晶體中有可能發生的一種效應，因此也往往就是限制MOSFET尺寸縮小的一種重要的因素。這是VLSI中很值得重視的一個問題。
溝道穿通效應的影響：當溝道一穿通，就使源-漏間的勢壘顯著降低，則從源往溝道即注入大量載流子，並漂移通過源-漏間的空間電荷區、形成一股很大的電流；此電流的大小將受到空間電荷的限制，是所謂空間電荷限制電流（與源漏電壓的平方成正比，與溝道長度的立方成反比）。這種空間電荷限制電流是與柵壓控制的溝道電流相併聯的，因此溝道穿通將使得通過器件的總電流大大增加；並且在溝道穿通情況下, 即使柵電壓低於閾值電壓，源-漏間也會有電流通過。