個人履歷
1986年和1989年分別獲西北電訊工程學院半導體物理與器件專業學士與碩士學位， 2003年6月獲西安電子科技大學微電子學與固體電子學專業工學博士學位。
1989至2005年，任教於空軍工
2006至今，任教於西電微電子學院微電路與系統系，寬頻隙半導體GaN技術研究組。
1999年起從事寬禁帶半導體材料和器件工藝研究,1999-2003年主要從事SiC-MESFET大功率器件模型和工藝研究，2004-2005年博士後工作期間，主要從事微波大功率AGaN/GaN HEMT器件理論和工藝領域的研究工作和納米CMOS器件可靠性分析課題的研究工作，2007年日本國立德島大學工學部客座教授，從事GaN領域國際合作研究。近年來主持和參與了國家自然科學基金項目、國防科技預先研究項目、國家863重大專項課題的研究，在國際國內期刊上發表相關論文40餘篇，被三大索引檢索近30篇。
程大學電訊工程學院無線電通訊系。
2007年到2008年在日本德島大學做高訪合作研究，主要從事寬禁帶半導體材料和器件工藝的研究 。主持和參與了國家863高科技VLSI重大專項課題、國防科技預先研究、國家自然科學基金等項目。國際國內期刊上發表相關論文30餘篇
目前主要研究方向
（1）寬頻隙半導體GaN在太赫茲領域的套用（國際最新研究領域）
（2）GaN微波毫米波器件及電路研究
（3）寬頻隙半導體大功率器件模型及工藝研究
近年主要論文
1. Linan Yang, Yue Hao, Jincheng Zhang, Use of AlGaN in the notch region of GaN Gunn diodes, Applied Physics Letters (accepted).
2. Lin-An Yang ,Chun-Li Yu, Yue Hao, A new model of subthreshold swing for sub-100nm MOSFETs, Microelectronics Reliability48 (2008) 342-347.
3. Yue Hao, Lin-An Yang, Jincheng Zhang, GaN-based Semiconductor Devices for Terahertz Technology，Terahertz Science and Technology, Vol.1, No 2, (2008)51-64.
4. Lin-An Yang , Yue Hao, Chun-Li Yu, An improved substrate current model for ultra-thin gate oxide MOSFETs, Solid-State Electronics50(2006) 489-495.
5. Yue Hao, Lin-An Yang, Chun-Li Yu, An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFETs, Solid-State Electronics50(2006) 1540-1545.
6. Lin-An Yang, Yimen Zhang, Chunli Yu, A compact model describing the effect of p-buffer layer on the I-V characteristics of 4H-SiC power MESFETs, Solid-State Electronics49(2005) 517-523.
7. L.A. Yang, C.L. Yu, Y. Hao, Channel resistance method for parameter extraction of ultra-thin gate oxide LDD MOSFETs, Proceedings of 8 International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technologies,Part II, Oct.23-26,(2006) 1373-1375.
廣東省國土資源廳總工程師、黨組成員
簡歷：楊林安，男，1963年10月出生，籍貫廣東鬱南，研究生學歷，博士學位，1983年8月參加工作，1988年1月加入中國共產黨，2004年5月任廣東省國土資源廳總工程師、黨組成員。
分管科技教育處、省國土資源技術中心和學會協會等社會團體。
