相關詞條
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柵漏
柵漏是提出了一種基於左手介質的新型介質柵漏波天線,並採用多模網路與嚴格模匹配相結合的方法,對該左手介質柵天線的輻射特性進行了仔細嚴格的分析.文中給出了漏...
柵漏 -
柵藻
又稱柵列藻,綠藻門綠球藻目柵藻科的一屬,通常由4～8個細胞,有時由16～32個細胞組成的定型群體,極少為單細胞。柵藻是淡水中常見的浮游藻類，極喜在營養豐...
形態特徵 生長環境 主要作用 繁殖 -
鋁氧化電源
1.輸入電壓：三相380V±15% 2.調節精度：≤1% 3.功率因數：≥90%
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絕緣柵雙極型電晶體
絕緣柵雙極型電晶體是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP電晶體，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOS...
IGBT原理及等效電路 IGBT的擎住效應 主要參數 -
雲紋法
）。雲紋法可用感光或腐蝕的方法，在試件表面製成各種柵線，而不致引起試件表面強度的加強或削弱。此法是用光傳遞柵線變形的信息，所以它的抗干擾性和穩定性...的熱應力和焊接過程的動態應變等。雲紋法測試溫度的上限以能保持試件表面不致氧化...
概述 歷史沿革 基本概念 分類 發展趨勢 -
場效應管
是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）； （2...的負電子被吸引出來而湧向柵極，但由於氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間...，該橋的大小由柵壓的大小決定。 C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管...
特點 工作原理 分類 作用 常見的場效應管 -
MOSFET
的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽柵極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。 MOSFET里的氧化層...（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件...
結構 工作原理 詳細信息 主要參數 型號命名 -
MOS電晶體
也會跟著變化。影響因素第一個影響閾值電壓的因素是作為介質的二氧化矽(柵氧化...閾值電壓的因素是由柵氧化層厚度tOX決定的單位面積柵電容的大小。單位面積柵...應是，柵氧化層的厚度越薄，單位面積柵電容越大，相應的閾值電壓數值越低...
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應 -
自對準工藝
；再經過第二次光刻，刻蝕出柵區，生長柵氧化層；然後，經光刻刻出引線孔...），致使MOS電晶體無法工作。因此，設計這類電晶體時往往讓柵區寬度（柵氧化膜...。這種工藝是先在生長有柵氧化膜的矽單晶片上澱積一層多晶矽，然後在多晶矽上...
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IGBT
結構IGBT結構圖左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構， N...的控制區為柵區，附於其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界...特性和開關特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變數時，漏極...
結構 工作特性 原理 發展歷史 研發進展
