簡介
李志堅在清華大學無線電電子學系任教，歷任半導體教研組主任、微電子學研究副所長、所長，對半導體專業和微電子所的建設和發展做出了很大的貢獻。李院士在1950年代提出了半導體薄膜電導的晶粒間界電子勢壘模型，60年代前後在矽材料和電晶體研究方面、70年代前後在VLSI研究等方面均取得了令人矚目的成就，1990年研製成1μ漢字ROMVLSI。這些成果代表了當時中國IC技術的最先進水平。李志堅院士的人生歷程，與中國微電子學科的發展進程，與清華大學微電子所的創建和發展息息相連。他是清華半導體專業和微電子學學科的主要創建人和學術帶頭人之一，今天的微電子所就是在此基礎上發展起來的。
採訪手記
採訪但讓記者吃驚的是，李志堅院士和記者的想像反差比較大。他說話嚴謹卻絕非慢條斯理，對學術界、科技界由浮躁風氣和體制不完善所滋生的“造假”與“誇大”知無不言，而且一針見血。
“‘漢芯造假’和當事者人品有關，他必將遭到法律的制裁。”李志堅說，“但最值得引起我們警惕和思考的是，不是一次造假，而是幾次造假;受騙投錢的不是某一個部委，而是幾個部委員和政府機關，體制缺陷和追求政績者心態浮躁是‘造假’滋生的根源。”
在李志堅看來，如果沒有一個科學的體制和機制，科學發展觀將很難落到實處，而成為一句空話。“落實科學發展觀是非常有必要的，且任重道遠。”
作為一位在高科技領域奮戰幾十年的老兵，78歲的李志堅認為，做學問一定要沉得住氣，耐得住寂寞，耐得住清貧。李老幾十年如一日的學習道路已充分證實了這一點。
在日寇入侵時期，李志堅隨家人逃到了鄞縣陶公山里，堅持自學，日寇投降後，他居然考入了高中;1953年，李志堅去列寧格勒大學留學時，師從著名科學家列比捷夫，沒學過俄語的他，硬是把老師給的一批書啃下，半年後通過了語言專業考試。在文革時期下放到綿陽期間，李志堅還是沒有放下他所專注的半導體專業，堅持看書學習。
提起自己的某個學生，沒有堅持到出科技成果的那一天，為追求高收入，匆匆投身到一家外企，李志堅唏噓不已。事實上，在清華的幾十年，李志堅在為我國的半導體和微電子事業中做出卓越貢獻的同時，一直在嘔心瀝血地為祖國培養了一大批棟樑之材。
從清華大學建立起微電子專業起，李志堅一直堅持擔任“半導體物理”的主講老師，這是半導體專業大學生的專業基礎課，他還指導、培養了一批又一批的碩士生、博士生，可謂桃李滿天下，而且名師出高徒，他有兩位學生已當選為中國科學院院士。
“大智在德”，這是記者在反覆聽李志堅院士談話錄音時，在腦海中不斷湧現的一個詞。
八十華誕座談會
八十華誕李志堅院士1958年從蘇聯學成來到清華，從那時起，李先生就和清華半導體專業早期的創辦者南德恆、王天爵等先輩們一起為清華半導體專業的建立、清華微電子學科的發展殫精竭慮，嘔心瀝血，至今已整整半個世紀。
顧秉林校長和陳旭副校長在座談會上講話，他們高度評價了李志堅教授對我國半導體和微電子學科的卓越貢獻，向李先生80華誕表示熱烈祝賀。
微電子所所長許軍向李先生致生日賀詞，他說，李志堅院士桃李滿天下，他的學生中有成績斐然的專業學者，如中科院微電子所的吳德馨院士和中科院半導體所的鄭厚植院士；也有後來居上的中青年業界精英人物，如創辦展訊通信有限公司並獲國家科技進步一等獎的陳大同博士和數次擔任國家科技部973項目首席科學家的中科院微電子系統所王躍博士。在古稀之年，李先生仍然奮鬥在教學、科研、人才培養的第一線，是我們大家學習的好榜樣。
李志堅教授致答謝詞，他感謝大家對他的支持和厚愛，表示將以“自強不息，厚德載物”的清華精神，努力繼續和大家一起為清華微電子學科的發展獻力。
顧秉林校長和李志堅院士同切生日蛋糕，與會人員一起同唱生日快樂歌。許多老教師還回憶起，在上世紀50年代末，李先生與南徳恆教授等人帶領一批青年教師，從無到有，在清華建成了當時國內第一個工科半導體專業；他又長期擔任微電子所的主要學科帶頭人，帶領大家積極進取，努力奮鬥，建成了今天的微電子所。大家對李院士高尚的人品、精深的學識表達了由衷的欽佩。
李志堅院士雖已八十高齡，仍然在教學第一線上工作，兢兢業業。1979年被評為北京市勞動模範和全國勞動模範；1984年被評為國家級有突出貢獻的專家1998年獲陳嘉庚獎；2000年獲何梁何利科學與技術進步獎；他還先後多次獲得國家和部委發明獎及技術進步獎。
發展自主的IT業
發展自主的IT業擁有先進技術和管理的大公司的進入，對於提高中國IT業總體水平是有好處的，應該受到歡迎。但是必須時刻注意加速發展自主的技術和產業，不能坐視關鍵性的和一些核心的產品長期不能自主製造，而大部分的中國IT企業僅為“裝配線”的現狀長期下去。一個信息化強國沒有先進的信息技術，就不可能有自主而堅強的IT產業，而且不可能持續發展，其安全也難以保證。當前，要高速發展我國自主的IT產業難度很大，但是機會仍很多。我們要充分利用優勢，儘快克服自己目前的缺點(包括技術水平和管理，經營經驗)，制定一個細緻的實現計畫。
國家為經濟和社會的信息化將投入相當資金。這是促進中國IT業發展的一個大好機會。不能把這個市場簡單地讓給外商，要儘量自己搞，用以促進中國IT水平和IT產業發展。因為經驗不足，自己做可能會慢一些，可以與外商合作，保留自主權。信息系統要不斷更新，信息安全更是重要，自主開發比較有保證。自主開發促進了自己的技術進步和產業發展，後者的收益又可支持信息化的持續發展，做到兩全其美。如果安排得法，中國的軟體、硬體和網路技術及產業就能得到一次較大的發展機會。
中國各有關部門非常重視IT研發。在國家自然科學基金，863計畫和一些專項中都有安排，投入也逐年加大。但目前IT研發也存在一些問題：首先是層次不夠清楚。一個大一些的項目，無論在哪一層次，常有從基礎研究到產品樣品開發無所不包的情況；其次是不管現實情況，要求過急；再次是力量分散，存在低水平重複和人力物力浪費現象。
科技成果少，管理水平低是中國IT業的主要弱點。科技不加速發展，中國的自主IT業是發展不起來的，對此一定要有緊迫感。科技發展必須跨越，創新，但是有些基礎性和必須過硬的工藝等問題是繞不過去的，一定要踏踏實實解決，不然，會事倍功半。
對以上存在的問題，最好的解決辦法是實現決策的真正民主化，多聽取專家的意見。此外，產品開發，試生產等一類生產性活動，科技領導部門似不宜直接介入，要鼓勵企業參與、主持，以產學研結合方式去做。政府可在稅務政策等方面鼓勵新產品及其市場開發。對於關鍵產品和其市場的研發，國家可以適當投資鼓勵開辦新企業。IT科技研發主要目標是提出新思路，弄清“怎么做”和“為什麼”，在一些基本、關鍵問題上有所突破，取得一批智慧財產權，為高速發展中國IT產業打好基礎。
加大力度引進人才人才，主要是技術，經營管理方面有經驗的領軍人物的缺乏，是中國發展IT產業的又一個主要弱點。現時，國際IT公司來中國，一般只帶來一部分技術和經營管理骨幹。其他人員全是中國培養的。有趣的是，這些高級人員中，大多數又是華人，過去港台出去及國內出去的留學生，形成了外國資本僱傭中國人與中國人爭奪中國市場的現狀。目前在美國等地領先的IT企業中，已有一批相當數量的，中國改革開放以後出國的留學生，他們中不少人已成為有經驗的骨幹或領導。如何加大力度，把其中一部分有針對性地請回來，到中國發展，這對加速中國IT業發展有十分重要的意義。政府為此要有一個計畫，要創造非常優越的生活和工作條件，使他們有充分的發展空間。
號召留學生回國效力，國家和地方已出台了不少優惠政策，也已有不少的人回來了。然而，他們中不少人分散在全國各地名目繁多的開發區中，開設了一批如IC設計，軟體開發等小公司。他們不了解中國情況與美國等有很大差別，因而遇到不少困難。國家應該引導他們相對集中起來，做大事。但是，當務之急還是要大力引進一批能領軍的優秀分子。
成就
李志堅李志堅在清華園已度過了42個春秋。每年4月最後一個星期日——清華大學校慶日，對李志堅來說，這裡不僅對校友歡聚的喜悅，更有對其科學成果倍出的欣慰。
當年在列寧格勒大學，他的導師、蘇聯科學院院士列比捷夫要求他用兩年時間補習量子力學、固體物理等基礎理論，而李志堅以勤奮的努力僅用半年就通過了這些課程，提前一年半進入了研究課題-薄膜電導和光電導機理及器件研究。他一頭扎進實驗室，自己設計，創造條件，製造出真空度達10-10托的全玻璃真空系統。他改進的小電流測量設備可測10-15A數量級。這些在當時均屬國際最高水平。他還提出了多晶膜粒間電子勢壘模型。
回國後，他立即投入清華大學半導體專業的創建工作。他和師生們日以繼夜地奮戰了一年多，首次在中國用四氧化矽還原法獲得了高純度多晶矽，拉出了第一根鎢絲區熔單晶矽。1961年，在國內首次研製成矽合金電晶體。1964年又研製成功矽平面高反壓電晶體並著手積體電路的研製。1980年，清華大學微電子所建立，李志堅先後任副所長、所長。80年代，他領導研製出1K、4K、16K、位SARM，8位、16位微處理器和2KEEPROM、通訊專用積體電路等大規模積體電路。1990年，研製成1兆位唯讀存儲器漢字型檔，第一次使集成度突破百萬元件大關。李志堅還從事多項研究課題，取得重要成果，出專著四部。
從事半導體和微電子技術領域的教學和研究。MOS器件物理方面獲二次部委科技進步二等獎，VLSI集成技術及電路方面獲部委科技進步一等獎四次和國家科技進步二等獎二次，VLSI高速熱處理技術獲福建發明二等獎。主編《半導體材料矽》和《MOSLSI集成技術》二書，發表論文130餘篇。
