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先進半導體材料及器件的輻射效應
《先進半導體材料及器件的輻射效應》是2008年國防工業出版社出版的圖書，作者是（比）克拉艾（Claeys，C.），（比）西蒙恩（Simoen，E.）。
內容提要 目錄 -
電晶體[半導體器件]
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑 -
亞微米和深亞微米MOS器件
亞微米和深亞微米MOS器件，通常把0.8－0.35um稱為亞微米，屬電子工程器件。
亞微米和深亞微米MOS器件 深亞微米電路設計對設計流程的影響 -
隧道效應
隧道效應由微觀粒子波動性所確定的量子效應。又稱勢壘貫穿。考慮粒子運動遇到一個高於粒子能量的勢壘，按照經典力學，粒子是不可能越過勢壘的；按照量子力學可以解...
基本簡介 效應原理 發現者簡介 主要用途 隧道二極體 -
半導體器件
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。 ...
簡介 分類 命名方法 積體電路 光電器件 -
光電子器件
《光電子器件》的作者是汪貴華，出版社是國防工業出版社。該書主要內容有半導體光電探測器、光電倍增管、微光像增強器、真空攝像管、紫外成像器件、X射線成像器件...
行業發展 套用範圍 出版背景 成書過程/創作背景 主要內容 -
半導體光電子器件
半導體光電子器件是利用半導體光-電子（或電-光子）轉換效應製成的各種功能器件。它不同於半導體光器件（如光波導開關、光調製器、光偏轉器等）。光器件的設計原...
簡介 基本物理過程 光電子器件分類 展望 -
液晶顯示器件
液晶顯示器件 liquid crystal display device 液晶在外加光源照射下受控激勵，供視覺感受信息的顯示器件。液晶具有規則的組織結構...
詳情 基本參數 定義 組成部件 驅動分類 -
霍爾器件
利用霍爾效應的固態電子器件。E.H.霍爾於1879年發現：一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中，在垂直於磁場的方向有電流Ix通過試件（圖1...
概述 電動勢 霍爾器件 製造 霍爾效應 -
MIS器件
MIS器件：以SiO2為柵介質時，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現過以Al2O3為柵介質的MAS器件和以Si3N4為柵介質的MNS器件...
概念 詳解
