英文名稱
Self-locking effect
原因
除過大的ic可能產生擎住效應外，當IGBT處於截止狀態時，如果集電極電源電壓過高，使T1管漏電流過大，也可能在Rbr上產生過高的壓降，使T2導通而出現擎住效應。
可能出現擎住效應的第三個情況是：在關斷過程中，MOSFET的關斷十分迅速，MOSFET關斷後圖1(b)中三極體T2的J2結反偏電壓UBA增大，MOSFET關斷得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R·ic增加得越快，duCA/dt越大，則J2結電容電流C2·duBA/dt≈C2·duCA/dt（C2為等效結電容）也越大。這個結電容電流經A點流過Rbr，又可能產生很大的壓降UAE，使T2導通，產生擎住效應，使IGBT的關斷失控。
引發擎住效應的原因，可能是集電極電流過大（靜態擎住效應），也可能是duce/dt過大（動態擎住效應），溫度升高也會加重發生擎住效應的危險。擎住效應曾經是限制IGBT電流容量進一步提高的主要因素之一，但經過多年的努力，自20世紀90年代中後期開始，這個問題已得到了極大的改善，促進了IGBT研究和製造水平的提高。
預防方法
為了防止這種關斷過程中出現擎住效應，一方面應在IGBT集電極C-發射極E兩端並聯接入一個電容，減小關斷時的duCE/dt，同時也可考慮增大圖1(b)中門極驅動電路的電阻RG，以適當減慢MOSFET的關斷過程，這種措施稱為慢關斷技術。
