相關詞條
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摻雜技術
摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區城內，井達到規定的數量和符合要求的分布，以達到改變材料電學性質、...
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摻雜光纖放大器
摻雜光纖放大器又稱為摻稀土OFA。製作光纖時，採用特殊工藝，在光纖芯層沉積中摻入極小濃度的稀土元素，如鉺、鐠或銣等離子，可製作出相應的摻鉺、摻鐠或摻銣光...
套用與前景 開發意義 放大譜範圍 -
MgB2超導體的成相與摻雜機理
2.3.2 3.2 7.3.2
圖書相信 內容簡介 目錄 前言 -
半導體核嬗變摻雜
半導體核嬗變摻雜是用一定能量的中子、帶電粒子或γ射線等照射材料，通過選擇的核反應在基體中生成原來不存在的新元素，達到半導體材料的摻雜目的。目前，只有中子...
簡介 -
氣相摻雜技術
相摻雜區熔矽單晶氣相摻雜區熔矽單晶及其生產技術，由如下步驟完成的：(1...氣相摻雜(dopinginvaporphasegrowth)一種半導體材料捧雜方法。半導體電學性質對幾乎所有雜質都非常敏感，因此摻雜濃度的控制...
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聚苯胺
。不同氧化還原狀態的聚苯胺可通過適當的摻雜方式獲得導電聚苯胺。 不同...等人據此修正之前的模型，概括出了聚苯胺結構。 摻雜態聚苯胺結構 極化子晶格模型 聚苯胺摻雜產物的結構，主要由極化子晶格模型和四環苯醌...
簡史 理化性質 合成 套用 -
空間電荷區
空間電荷區也稱耗盡層。在PN結中，由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，使PN結中間的部位(P區和N區交界面)產生一個很薄的電荷區，它就是空間電荷區。
物理學定義 太陽電池中的空間電荷區 空間電荷區的變化 特性 -
有源區
有源區active area ,也就是矽片上做有源器件的區域，平面MOSFET管子本身的工藝和結構上d,s兩個有源區（active area）和歐姆接觸...
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印歐語言區
語言區是根據語言上的差異而劃分的空間分布範圍。各種語言差異的程度變化比較大，在辭彙和語法、發音等方面可能完全不同。各語言地理學家可根據自己研究的目的與選...
區域介紹 歷史發展 研究成果 -
半導體
的運動稱為擴散運動。空間電荷區：由於擴散運動使得PN結交界面產生一片複合...，此運動不斷發生著（此處請專家斟酌）。P區一側出現負離子區，N區出現正離子區，它們基本上是固定的，稱為空間電荷區。電場形成：空間電荷區形成內電場...
定義 分類 相關短語 發展歷史 特點
