摻雜技術

摻雜技術(Doping Proces) 是將所需的雜質以定的方式摻入到半導體基片規定的區城內，井達到規定的數量和符合要求的分布，以達到改變材料電學性質、製造PN結、互連線的目的。

在微機械加工中，通過摻雜技術來實現自停止蝕刻及構造薄膜層。摻雜的方法有擴散法、離子注
入法及合金法等。