Peltier效應是當有電流通過兩種不同材料 (A和B) 的接觸處時、在該接觸處發生吸熱或放熱的一種現象。該效應是可逆的,當電流從A到B是吸熱時, 則當電流從B到A時是放熱。因此, 當電流通過A和B的閉合迴路 (電偶) 時, 即在一個接觸處吸熱, 在另一個接觸處放熱, 這也就是電致冷的根據。
Peltier效應的產生原因:例如,對於金屬-半導體接觸, 當電子由金屬進入半導體時, 需要克服高度為(Ec-Ef)的勢壘, 並且進入半導體後的運動也要一定的能量, 所以會發生吸熱現象; 相反, 當電子由半導體進入金屬時, 就會放出相同的能量。
單位面積、單位時間所吸收 (或放出) 的熱量與電流密度成正比: dQ / dt = π j,其中係數π(單位是V) 稱為Peltier係數,只與兩種材料的性質和接觸處的溫度有關; 當吸熱時π為正, 放熱時π為負。用作電致冷的材料要求有較大的π值。熱電材料的優值Z =α2σ/κ表征著熱電材料的好壞。半導體具有較大α和π值, 適宜用作熱電器件 (電致冷器和溫差發電器) 的材料; 同時為了降低器件的熱損耗和電損耗, 還應該要求材料具有低的熱導率和高的電導率。重要的半導體熱電材料有 Bi2Te3、Bi2Sb3、SiGe、GaP等。
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