產生的原因：固液交界面掉有固體顆粒或熱應力較大，過冷度較大等都可能造成層錯面缺陷的產生，當襯底表面有機械損傷、雜質、局部氧化物、高位錯密度等都有可能引起層錯的產生。
層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上，當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後，經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯，稱之為OISF。
層錯因為每個層錯都結合著部分位錯，所以層錯對矽單晶片的電性質影響與位錯相似。
對電子器件的影響
1）增加漏電流2）降低柵氧化層質量
3）造成擊穿
成核位置
1）外在因素。當受到機械上的損傷時，損傷處高懸掛鍵吸附雜質及再經過熱氧化的過程之後，即易引起層錯的層錯的發生。2）內在因素。在每個OISF的中心常可以發現板狀的氧沉澱，因此板狀氧沉澱被認為是其成核中心。
成長：與熱周期的氧化溫度、時間、氣氛環境、結晶方向、雜質濃度等因素有關。其生長速度隨著氧化速率及溫度的增加而增加。
縮小：在非氧化氣氛下進行高溫熱處理，將導致OISF的縮小。
晶棒熱歷史：CZ矽單晶棒在900~1050℃的冷卻速度是影響其產生的關鍵溫度。如果CZ矽單晶棒在這個溫度內冷卻速度較慢的話，會形成較多O2V，將成為OISF的成核位置。因此我們可以增加晶棒在這段溫度的冷卻速度，就可以避免OISF環的產生。
拉速： OISF環的直徑通常隨著晶體生長時的拉素增加而增加。
