基本介紹
英文名稱 polycrystalline-silicon-solar-cells
性能參數
Dimension：156×156±0.5mm
Thickness:200±20um/240±20um
Diameter:219.2±0.5mm
Conductivity:P Type(Boron Doped)
Resistivity:0.5～2Ω·cm
Minority Carrier Lifetime:≥2us
用途
多晶矽片多用於電子上和太陽能發電。
多晶矽片分為電子級和太陽能級。先說太陽能級的，是作為太陽能產業鏈的原料，用於鑄錠或拉單晶矽棒，在切成矽片，生產成太陽能電池板，就是衛星、空間站上的太陽能帆板，大部分還是用在建太陽能電站了，國內的太陽能電站很少，很為他雖然環保綠色，但成本很高，電費貴，往往需要政府補貼，歐洲是全球使用太陽能最多的，也是中國太陽能電池板主要的銷售方向。電子級多晶矽用於生產半導體材料，主要用於電子設備，晶片上用的比較多。
發展
中國多晶矽工業起步於20世紀50年代，60年代中期實現了產業化，到70年代，生產廠家曾經發展到20多家。但由於工藝技術落後，消耗大，成本高等原因，絕大部分企業虧損而相繼停產或轉產。
進入21世紀以來，強大的需求和豐厚的利潤刺激著多晶矽產業的迅速膨脹。多晶矽現貨價7年內上漲了10倍，高峰時利潤率超過800%。截至08年12月，已有超過10家上市公司投資多晶矽項目，已公告的投資額近60億元，總投資額高達300多億元。
2009年新春伊始，有兩件事情令多晶矽-光伏產業振奮。首先是《能源法》已經提交到國務院法制辦，這將直接影響“十二五”期間國家能源政策的整體規劃。隨後，無錫尚德、賽維LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亞等在內的太陽能電池生產巨頭們已將“1元/度”光伏發電成本的方案上交給科技部。這標誌著光伏發電入網已經不再那么遙遠，這兩大利好無疑給予多晶矽-光伏企業一劑興奮劑。
2009年1月，國家發改委已正式批覆，同意在洛陽中矽建設多晶矽材料製備技術國家工程實驗室，並安排1500萬元國家投資補助資金，這表明海外對中國高純多晶矽產業的技術壁壘正在被一一打破，對緩解中國多晶矽需求主要依賴進口現狀、促進光伏產品成本降低都具有標誌性意義。
