簡介
能源問題正日益成為世界性問題，我國在太陽能光伏產業的核心技術已領先於世界水平，而用於太陽能的主要材料——多晶矽，它的清洗潔淨程度直接影響到太陽能電池的成品率和性能。用超音波清洗的目的主要是清除多晶矽表面的沾污，如微粒，有機物，無機金屬離子、氧化層等雜質。多晶矽表面吸附雜質的主要原因是，多晶矽表面原子垂直向上的化學鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶矽表面形成自由力場，極易吸附各種雜質。這些雜質和多晶矽之間迅速形成化學吸附，難以去除。在生產多晶矽的生產工藝過程中，其中的一個重要環節，是採用超音波清洗套用技術。
2產品結構
多晶矽超音波清洗要結構特點：1、採用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業
2、採用第三代最新技術，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落
3、最新全自動補液技術
4、獨特的矽片乾燥前處理技術，保證矽片乾燥不留任何水痕
5、成熟的矽片乾燥工藝，多種先進技術集於一身
6、彩色大螢幕人機界面操作，方便參數設定多工藝方式轉換
3產品特點
多晶矽超音波清洗機具有以下特點：1、械手或多機械手組合，實現工位工藝要求。
2、PLC全程式控制與觸控螢幕操作界面，操作便利。
3、自動上下料台，準確上卸工件。
4、淨化烘乾槽，獨特的烘乾前處理技術，工作乾燥無水漬。
5、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。
6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。
7、全封閉清洗均勻。
8、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。
4工藝流程
自動上料→去離子水+超音波清洗+振動篩拋動→鹼液+超音波清洗+拋動→去離子水+超音波清洗+拋動→鹼液+超音波清洗+拋動→鹼液+超音波清洗+拋動→去離子水+超音波清洗+拋動+溢流→去離子水+超音波清洗+拋動+溢流→自動下料5套用範圍
多晶矽超音波清洗加工設備，可廣泛用於IC生產及半導體元器件生產中晶片的濕法化學工藝。該設備可有效去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英、塑膠等附屬檔案器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。爐前（RCA）清洗：擴散前清洗
光刻後清洗：除去光刻膠。
氧化前自動清洗：氧化前去掉矽片表面所胡的沾污物。
拋光後自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。
外延前清洗：除去埋層擴散後的SiO2及表面污物。
合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線後，表面雜質及光膠殘渣。
離子注入後的清洗：除去光刻膠，SiO2層。
擴散預澱積後清洗：除去預澱積時的BSG和PSG。
CVD後清洗：除去CVD過程中的顆粒。
附屬檔案及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。
