場發射透射電子顯微鏡

基本簡介

場發射透射電子顯微鏡

.可對金屬、礦物、半導體、陶瓷、生物、高分子、複合材料、催化劑等材料進行微觀形貌、晶體結構、晶體缺陷、晶粒晶向及成份分析。 2.利用微區電子衍射、會聚束電子衍射及元素分析可對小至0.5nm尺度的物質進行結構和成分分析，因而特別實用於普通透射電鏡難以分析的微細析出相，界面和疇等極小區域內成分、結構的研究。 3.利用所配置的GIF系統不但可分析物質的組成元素而且可分析組成元素的價態。
儀器類別：03040701/儀器儀表 /光學儀器 /電子光學及離子光學儀器 /透射式電子顯微鏡

指標信息

具有高相干性、高亮度的場發射槍 最大傾轉角：X=±35°，Y=±30° 加速電壓：200kV、160kV、100kV、80kV 點解析度：0.23nm EDS元素範圍：B5～U92 晶格解析度：0.102nm EDS能量解析度：138eV 最小束班尺寸：0.5nm EELS能量解析度：0.7eV 最高放大倍數：1.5M
附屬檔案信息：1.Gatan公司的GIF系統 4.普通單、雙傾台 2.Link公司的EDS系統（超薄窗） 5.鈹單、雙傾台 3.日本電子株式會社的STEM系統 ,