簡介
光電器件主要有，利用半導體光敏特性工作的光電導器件，利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發光器件等。這一節中簡略地向大家介紹一下這些光電器件的工作原理。半導體光電器件如光導管、光電池、光電二極體、光電電晶體等；半導體熱電器件如熱敏電阻、溫差發電器和溫差電致冷器等。一、 光電導器件
本章第一節曾介紹過半導體材料的光敏特性，即當半導體材料受到一定波長光線的照射時，其電阻率明顯減小，或說電導率增大的特性。這個現象也叫半導體的光電導特性。利用這個特性製作的半導體器件叫光電導器件。半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子逃逸出來的電子及其留下的空位-----空穴。電子從原子中逃逸出來，必須克服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量，使它有能力逃逸出來的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度，從而改變半導體的電導率。
光電導器件主要有光敏電阻、光電二極體光電三極體等。
1·光敏電阻。
這是一種半導體電阻。在沒有光照時，電阻很大；在一定波長範圍的光照下，電阻值明顯變小。製作光敏電阻的材料主要有矽、鍺、硫化鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化鎘光敏電阻對可見光敏感，用硫化鎘單晶製造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以製成各種光探測器。感光面積大的光敏電阻，可以獲得較大的明暗電阻差。如國產625-A型硫化鎘光敏電阻，其光照電阻小於50千歐，暗電阻大於50兆歐。光敏電阻的內部結構和符號如圖表-28所示
2·光電二極體
光電二極體的管芯也是一個PN結，只是結面積比普通二極體大，便於接收光線。但和普通二極體不同，光電二極體是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小，只有01微安左右。在光線照射下產生的電子----空穴對叫光生載流子，它們參加導電會增大反向飽和電流。光生載流子的數量與光強度有關，因此，反向飽和電流會隨著光強的變化而變化，從而可以把光信號的變化轉為電流及電壓的變化。光電二極體的結構及符號如圖表-29所示。光電二極體主要用於近紅外探測器及光電轉換的自動控制儀器中，還可以作為光導纖維通信的接收器件。
3·光電三極度管
光電三極體的結構與普通三極度管相同，但基區面積較大，便函於接收更多的入射光線。入射光在基區激發出電子----空穴時，形成基極電流，而集電極電流是基極電流β倍，因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極體比光電二極體有更高的靈敏度。圖表-30示出了光電三極體的結構和符號。
二、光伏打器件----矽光電池
半導體PN結在受到光照射時能產生電動勢的效應，叫光伏打效應。矽光電池就是利用光伏打效應將光能直接換成電能的半導體器件。圖表3-31是矽光電池的結構和電路符號圖。從圖中可見矽光電池就是一個大面積PN結。光照可以使薄薄的P型區產生大量的光生載流子。這些光生電子和空穴，會向PN結方向擴散。擴散過程中，一部分電子和空穴複合消失，大部分擴散到PN結邊緣。在結電場的作用下，大部分光生空穴被電場推回P型區而不能穿越PN結；大部分光生電阻卻受到結電場的加速作用穿越PN結，到達N型區。隨著光生電子在N型區的積累及光生空穴在P型號區的積累，會在在PN對的兩側產生一個穩定的電位差，這就是光生電動勢。當光電池兩端接有負載時，將有電流流過負載，起著電池的作用。
矽光電池的用途極度為廣泛。主要用於下述幾個方面：
能源----矽光電池串聯或並聯組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛星、宇宙飛船、航標燈、無人氣象站等設備的電源；也可做電子手錶、電子計算器、小型號汽車、遊艇等的電源。
光電檢測器件----用作近紅外探測器、光電讀出、光電耦合、雷射準直、電影還音等設備的光感受器。
光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉換器件。
三、半導體發光器件
半導體發光器件是一種將電能轉換成光能的器件。它包括發光二極體、紅外光源、半導體發光數字管等。1·發光二極體
發光二極體的管芯也是一個PN結，並具有單嚮導電性。PN結加上正向電壓時，電子由N區渡越（擴散）到空間電荷區與空穴複合而釋放出能量。這些能量大部分以發光的形式出現，因此，可以直接將電能轉換成光能。發光二極體的發光顏色（波長），困半導體材料及摻雜成分不同而不同。常用的有黃、綠、紅等顏色的發光二極體。發光二極體工作電壓很低（15-3伏），工作電流很小（10-30毫安），耗電極省。可作燈光信號顯示、快速光源，也呆同時起整流和發光兩種作用。
圖表-22是發光二極體的外形用符號圖。
2·發光數字管
把磷化鎵發光管或磷化鎵發光管的管芯製成條狀，用七條發光管組成七段式數字顯示管，可以顯示從0到9的十個數字。這種半導體數字顯示管的優點是體積小、耗電省、壽命長、回響速度快。它可以作為各種小型計算器及數字顯示儀表的數字顯示用。圖：3-33為半導體發光數碼管的示意圖。
