相關詞條
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同質外延法
同質外延法是指用外延法生長單晶時，採用的襯底與薄膜是同一種材料。從被還原分解的矽化物蒸氣中在矽襯底上生長矽單晶片。同質外延不僅用於氣相外延生長，也常用於...
簡介 過程 外延法 外延生長 -
同質分組
同質分組是最早用來解決同一年級學生智力和知識程度差距懸殊的方法之一。所謂同質分組，就是按照學生的智力或知識程度分校、分班或分組。重點學校和非重點學校、同...
名詞解釋 概念延伸 實驗實例 套用 -
分子束外延法
分子束外延（MBE）是一種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內源材料經高溫蒸發，產生分子束流，入射分子束與襯底交換能量後，經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。
名稱 定義 特點 技術 難點 -
mbe[分子束外延]
分子束外延是一種新的晶體生長技術，簡記為MBE。
英文名稱 定義 相關技術 技術難點 國外概況 -
外延生長工藝
。外延有同質外延和異質外延之分，可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底。外延層可以和原單晶片具有不同的導電類型，利用這一特性，可以通過外延生長來...特性外延生長工藝epitaxy growth technology利用...
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液相外延
液相外延：是由溶液中析出固相物質並沉積在襯底上生成單晶薄層的方法。在外延生長過程中，可以通過四種方法進行溶液冷卻：平衡法、突冷法、過冷法和兩相法。
英文名 簡介 -
襯底
廣泛套用的。自支撐同質外延襯底的研製對發展自主智慧財產權的氮化物半導體雷射器...能在InN上進行同質外延生長，可以大大減少缺陷，那么器件的性能就有巨大的飛躍。自支撐同質外延GaN,AlN和AlGaN襯底是目前最有可能首先獲得...
繪圖襯底 氮化物襯底材料 -
晶體生長技術
輸運過程。 外延又名取向附生，它是指在一塊單晶片上再生長一層單晶薄層,這個薄層在結構上要與原來的晶體(稱為基片)相匹配。外延可分為同質外延和異質外延。像半導體材料的矽片再外延一層矽是屬同質外延；如果在白寶石基片上外延...
熔體生長法 溶液生長法 氣相生長法 外延 -
單晶薄膜製備技術
晶狀生長，這個現象稱為外延(Epitaxy)。外延生長技術分為同質外延技術和異質外延技術。同質外延技術是在單晶基片表面上外延生長同種元素組成的單晶...的薄膜是理想的單晶薄膜。製備單品結構薄膜的難度大．通常是採用外延生長薄膜技術...
單晶結構 單晶薄膜製備技術介紹 注意事項 技術發展 -
半導體材料
製備工藝有提純、單晶的製備和薄膜外延生長。 所有的半導體材料都需要對原料...。 絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量...工序以提供相應的晶片。 在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相...
基本簡介 主要種類 實際運用 寬頻隙半導體材料 低維半導體材料
