簡介
同質外延法是指用外延法生長單晶時，採用的襯底與薄膜是同一種材料。
過程
從被還原分解的矽化物蒸氣中在矽襯底上生長矽單晶片。同質外延不僅用於氣相外延生長，也常用於液相外延生長之中。在生長過程中，除襯底的質量和清潔度外，襯底的取向對晶體的生長影響明顯 。
外延法
即趨勢外推法，它根據慣性原理，預測發展過程的未來趨勢。一般地說，外延法不注重預測者的價值觀念和目標，也不注重預測者在未來事件中能夠起的作用和應該採取的決策。預測者抱著一種“超脫”的客觀態度，對未來的發展過程作出預測。
外延生長
在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，故稱外延生長。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時，為了製造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。外延生長的新單晶層可在導電類型、電阻率等方面與襯底不同，還可以生長不同厚度和不同要求的多層單晶，從而大大提高器件設計的靈活性和器件的性能。外延工藝還廣泛用於積體電路中的PN結隔離技術（見隔離技術）和大規模積體電路中改善材料質量方面 。
