帶有反向平行耦合的低H
申請專利號 CN01124480.1專利申請日 2001.07.30
名稱 帶有反向平行耦合的低H
公開（公告）號 CN1336636
公開（公告）日 2002.02.20
類別 物理
優先權 2000.7.31 US 09/630,329
申請（專利權） 國際商業機器公司
地址 美國紐約
發明（設計）人 哈德耶爾·S·吉爾
專利代理機構 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
代理人 王永剛
摘要
自旋閥(SV)磁阻感測器，具有AP釘扎層、AP耦合的自由層和二者之間的非磁性導電分隔層。AP釘扎層包含被反向平行耦合(APC)層分隔的第一和第二鐵磁層。自由層包含第三鐵磁層、第四鐵磁層和二者之間的APC層。Co－Fe第三鐵磁層的易磁化軸具有橫向取向，Co－Fe－Hf－O第四鐵磁層的易磁化軸具有縱向取向，導致自由層低的純淨本征單軸各向異性H主權項
權利要求書 1.一種自旋閥(SV)磁阻感測器，它包含：反鐵磁(AFM)層；鄰近所述AFM層的釘扎層，所述AFM層對所述釘扎層的磁化方向進行固定；反向平行(AP)耦合的自由層，它包含：第三鐵磁層；由高電阻率材料組成的第四鐵磁層；以及排列在所述第三和第四鐵磁層之間的反向平行耦合層；以及排列在所述釘扎層和所述第三鐵磁層之間的由非磁性導電材料組成的分隔層。
