北京晶川公司堅持以技術服務促進貿易發展,並取得了成功,晶川公司的工程師早在1992年就在中國市場推廣IGBT,功率MOSFET等新一代MOS場控功率半導體器件。通過北京晶川公司的努力,現在EUPEC IGBT模組已經在中國的工業套用、運輸、電動汽車、新能源等領域占有絕對優勢的市場份額。晶川公司也因此在2005年榮獲“EUPEC(優派克)全球唯一的業務發展獎”以及“Infineon(英飛凌)亞太地區快速增長獎” ,2007年榮獲英飛凌產品中國市場推廣第一名。同時,晶川公司還建有賽力康創(scilicon)電力電子實驗室,主要從事IGBT套用技術開發與技術服務、IGBT失效分析、IGBT驅動電路開發與生產等,為電力電子器件技術在中國的推廣發揮著積極的作用。
由於快速增長的業務需要,並為了更好地服務廣大客戶,晶川公司北京總部已於2007年9喬遷新址,新辦公室面積是原來的五倍,這標誌著公司的發展進入一個全新階段。晶川公司將繼續與您共同分享西門子/英飛凌的高科技成果,為中國的節能與環保事業做出更大貢獻。
公司產品
一、EUPEC IGBT器件(含稅價,IGBT型號中的電流值按TC=80℃時標稱,後面電流值按TC=25℃時標稱)
1、兩單元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、兩單元――600V系列
3、六單元(低飽和壓降型)
4、功率集成模組(三相橋+七單元+溫度感測器
5、一單元--1200V/1700V
6、四單元 (H橋 30KHZ高頻)
二、EUPEC IGBT驅動電路
2ED300C17-S (可驅動3600A,1700V,兩單元)
2ED020I12-F (可驅動 50A,1200V,兩單元)
三、EPCOS優質電解電容――超長壽命(85℃時12000小時)、超小體積、高效濾波
四、英飛凌 IGBT單管 600V/1200V
特點:
☆採用溝槽柵+電場終止層(Field stop)IGBT工藝技術
☆參數離散性小,便於批量生產使用
☆可靠性高,高溫性能穩定,特性優異,具有最優的性能價格比
☆型號中電流按Tc=100℃時標稱,有效使用電流大
☆600V IGBT單管最大工作結溫可達Tjmax≤175℃
☆內置反並聯軟、快恢復(EMCON)高效二極體
☆正溫被係數飽和壓降易於並聯
五、英飛凌 快恢復二極體 600V/1200V
特點:
☆Infineon專利技術生產(Emcon)快速軟恢復二極體;反向恢復軟度因子 S<4.4
☆低反向恢復電荷 Qrr<2900nc
☆低正嚮導通壓降:VF=1.5V 且不隨溫度升高而升高,易於並聯.
☆最高工作結溫高達 Tj=175℃ 高溫特性好。
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