EXAFS
(Extended x-ray absorption fine structure)
EXAFS的產生與吸收原子及其周圍其他原子的散射有關,即都與結構有關。因而可通過測量EXAFS來研究吸收原子周圍的近鄰結構,得到原子間距、配位數、原子均方位移等參量。 EXA
![EXAFS專家](/img/d/6a7/nBnauM3XzgzNxcTN5gjN0UjN5QTMxEzNwQTMzQTNwAzMxAzL4YzL4QzLt92YucmbvRWdo5Cd0FmLwE2LvoDc0RHa.jpg)
EXAFS (Extended x-ray absorption fine structure)
吸收邊產生的原因:
當入射X光子的能量等於被照射樣品某內層電子的電離能時,會被大量吸收
XAFS包括EXAFS和XANES兩種技術 EXAFS 是元素的X射線吸收係數在吸收邊高能側 30-1000 eV 範圍出現的振盪。
XANES (X-ray absorption near edge structure)
是元素吸收邊位置50 eV範圍內的精細結構。
(精細結構:吸收邊附近及其廣延段存在一些分立的峰或波狀起伏,稱精細結構)
EXAFS優勢
1.不依賴晶體結構,因此可用於大量的非晶態材料的研究
2.不受其他元素的干擾,對不同的元素的原子,可由吸收邊位置不同,而得以分別研究
3.可測配位原子的種類、個數、間距等
4.濃度很低的樣品,百萬分之幾的元素也能分析
5.樣品製備比較簡單,數據收集時間短