英特爾高級副總裁兼生產製造事業部總經理SunlinChou先生說："英
特爾新型的一平方微米SRAM單元為矽技術確立新的密度標準。這一結果使我們在微處理器和其它產品的0.09微米製造工藝方面居於領先地位。"
通過使用新型0.09微米製造工藝，英特爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。公司將使用這一工藝生產許多其它產品，包括處理器、晶片組和通信產品。英特爾計畫只將0.09微米工藝套用在300毫米(12英寸)晶圓上。
全球最小的SRAM晶片單元
英特爾研究人員製造出的52Mb存儲晶片(能夠存儲5200萬獨立比特的信息)，在僅為109平方毫米的晶片上集成有3.3億顆電晶體--比一個一角美元硬幣還小。這是迄今為止報導過的容量最大的SRAM。
這些晶片在英特爾位於俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發工廠(D1C)製造，配合使用先進的193納米和248納米液相工具。
製造SRAM晶片是業界常用的測試下一代邏輯製造工藝的方式。存儲單元的尺寸大小非常重要，因為這使得英特爾可以通過添加更多的片上快取，增加整體邏輯密度，經濟有效地提升微處理器性能。成功生產SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產微處理器時所需要的全部特性都已經成熟，其中包括高性能電晶體及高速銅線互連。
