簡介
東芝、IBM和AMD三家公司2008年12月16日舉行的2008國際電子設備會議上，共同宣布了這項成果共同宣布，他們已經使用High-K金屬柵極材料，合作開發出了全球最小的SRAM單元，基於FinFET鰭式場效應管結構，面積僅有0.128平方微米。
SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM記憶體那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM記憶體可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主機板上SRAM存儲器要占用一部分面積，在主機板上哪些是SRAM呢？
一種是置於CPU與主存間的高速快取，它有兩種規格：一種是固定在主機板上的高速快取（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴充用的高速快取，另外在CMOS晶片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設定的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速快取，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速快取）和L2Cache（二級高速快取）的名詞，一般L1Cache是內建在CPU的內部，L2Cache是設計在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同時設計在CPU的內部，故PentiumPro的體積較大。最新的PentiumII又把L2Cache移至CPU核心之外的黑盒子裡。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主機板上還不能作為用量較大的主存。
發展
2002年英特爾公司的研究人員宣布製造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory--靜態隨機存儲晶片)存儲晶片單元，尺寸僅為1平方微米。這些單元是存儲晶片的基本模組，它們是使用英特爾下一代0.09微米(90納米)工藝製造的全功能SRAM設備的一部分。這一成果對於在2003年採用新型製造工藝具有里程碑式的意義。
此後，全球最小的SRAM單元面積約為0.274平方微米，而三家公司利用FinFET的立體結構優勢，將SRAM的體積縮減了一半以上，達到0.128平方微米。在通常的平面結構下，半導體廠商為縮小SRAM單元體積，往往採用調整摻雜成分的方式實現。但這種方式可能會影響SRAM工作的穩定性，而在採用22nm甚至更新製程時，問題會更加突出。FinFET立體結構於是應運而生，解決了擺在進一步提高SRAM元件密度道路上的一大障礙。
此次為製造出全球最小的FinFETSRAM，三家公司對製造工藝進行了精細的改進，採用了High-K金屬柵極技術，並對摻雜和去除工藝進行了調整。另外，他們還對未來若使用FinFET結構製造更小的SRAM效果進行了考察。根據他們的模擬，採用不摻雜FinFET結構製造的SRAM半導體特性偏差值改善了28%。而未來若使用22nm甚至更高工藝製造出面積為0.063平方微米的FinFETSRAM，在穩定性方面也將遠遠優於平面結構。
