1.圖書信息
·書名:模擬CMOS積體電路設計作 者:魏廷存,陳瑩梅,胡正飛
出版社:清華大學出版社
出版時間:2010-3-1
ISBN:9787302211464
開本:16開
定價:32.00元
內容簡介
本書是作者結合自己多年的科研實踐,在參考國內外同類教材的基礎上,精心編著而成的。本書結合現代CMOS工藝的發展,從元器件出發,詳細分析了各種典型模擬CMOS積體電路的工作原理和設計方法,對模擬CMOS積體電路的研究和設計具有學術和工程實用價值。全書共分10章,其中前6章介紹CMOS元器件和基本單元電路的基礎知識,後4章介紹它們的典型套用,包括開關電容電路、ADC與DAC、振盪器以及鎖相環。
本書可供微電子與積體電路設計專業的研究生以及高年級本科生作為教材使用(大約需要60學時),也可供模擬積體電路設計工程師參考。
本書的讀者應具備電路和信號方面的基礎知識,如果讀者還具備半導體物理方面的知識,則更容易理解本書的內容。
2.圖書信息
【原書名】DesignofAnalogCMOSIntegratedCircuits【原出版社】McGraw-Hill
【作 者】[美]畢查德·拉扎維[同作者作品][作譯者介紹]
【譯 者】陳貴燦[同譯者作品]程軍張瑞智
【叢書名】國外名校最新教材精選
【出版社】西安交通大學出版社
【出版日期】2003年2月【開本】16開【頁碼】562【版次】1-1
【所屬分類】工業技術>電工技術>電路>積體電路
內容簡介
本書介紹模擬CMOS積體電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述了各種模擬電路的基本原理和概念,同時還闡述了在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。本書由淺入深,理論與實際結合,提供了大量現代工業中的設計實例。全書共18章。前10章介紹各種基本模組和運放及其頻率回響和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非線性和失配的影響,第14、15章介紹振盪器和鎖相環。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、CMOS製造工藝和混合信號電路的版圖與封裝。本書是現代模擬積體電路設計的理想教材或參考書。可供與積體電路領域有關的各電類專業的高年級本科生和研究生使用,也可供從事這一領域的工程技術人員自學和參考。
目錄
作者簡介中文版前言
譯者序
序
致謝
第1章模擬電路設計緒論
第2章MOS器件物理基礎
第3章單級放大器
第4章差動放大器
第5章無源與有源電流鏡
第6章放大器的頻率特性
第7章噪聲
第8章反饋
第9章運算放大器
第10章穩定性與頻率補償
第11章帶隙基準
第12章開關電容電路
第13章非線性與不匹配
第14章振盪器
第15章鎖相環
第16章短溝道效應與器件模型
第17章CMOS工藝技術
第18章版圖與封裝