基本資料
《半導體物理學》 作者： 劉恩科
出版社：西安交通大學出版社
頁碼：386 頁
出版日期：1998年10月
ISBN：9787560510101
版本：第1版
裝幀：平裝
內容簡介
本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產生、複合及其運動規律；半導體的表面和界面——包括pn結、金屬半導體接觸、半導體表面及MIS結構、半導體異質結；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶半導體。
前言介紹
本教材系按中國電子工業總公司的工科電子類專業教材1991～1995年編審出版規劃,1由“電子材料與固體器件”教材編審委員會“半導體物理與器件”編審小組徵稿,1推薦出版,1責任編委李衛.
本教材由西安交通大學劉恩科擔任主編,2西安電子科技大學周南生擔任主審.
本教材第一版於1979年12月由國防工業出版社出版.第二版於1984年5月由上海科學技術出版社出版.a1987年12月獲電子工業部1977年～1985年工科電子類專業優秀教材特等獎,31988年1月獲全國高等學校優秀教材獎.第三版於1989年5月由國防工業出版社出版,31992年1月獲第二屆機械電子工業部電子類專業優秀教材特等獎,31992年11月獲第二屆普通高等學校優秀教材全國特等獎.
本課程參考學時數為120學時.本教材共13章,4其主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態,雜質和缺陷能級,載流子的統計分布,載流子的散射及電導問題,非平衡載流子產生.複合及其運動規律,半導體的表面和界面——包括p-n結.金屬半導體接觸.半導體表面及MIS結構.異質結,半導體的光.熱.磁.壓阻等物理現象和非晶態半導體.
按照“半導體物理與器件”編審小組的意見,5本教材在第二次修訂適當增加一些新內容,5如四元化合物半導體的能帶.c半導體超晶格.二維電子氣.朗道能級.磁光吸收.量子化霍耳效應.非晶態半導體的基礎上,這次修訂又作了如下補充：第一章適當增加了Si1-xGe.能帶和II-VI族化合物半導體的晶格結構和能帶,第五章增加了俄歇複合,第八章增加了深耗盡和二維電子氣概念,c第九章適當深化二維電子氣內容,第十章簡要介紹室溫激子,第二.九章補充了思考題和習題,c根據半導體研究的進展修改了一些不合適的內容,如第一.四章中砷化鎵導帶第二極小值.第八章中矽—二氧化矽系統界面態密度分布等內容.
本教材使用時應以前九章為主.第十至十二章各校自行掌握,可以光學效應為主.非晶態半導體可視情況而定.除進行課堂講授外,可輔以必要的習題課和課堂討論.
本教材由劉恩科編寫第一.四.十一.十二章,朱秉升編寫第二.三.六.九章,羅晉生編寫第八.十三章,亢潤民編寫第五.七章,屠善潔編寫第十章.附錄由劉恩科.亢潤民整理.
劉恩科統編全稿.a第二次和這次均由劉恩科修訂第一.四.七.十.十一.十二章和第九章部分內容,c朱秉升修訂第二.三.五.六.九章,羅晉生修訂第八.十三章.主審和編審小組全體委員都為本書提出許多寶貴意見,這裡表示誠摯的感謝.由於編者水平有限,書中難免還存在一些缺點和錯誤,8殷切希望廣大讀者批評指正.
