SiC紫外探測器

m一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收與矽探測器相比,要大兩個數量級,並且不需要表面加工處理,可保持長期的穩定性。 另外,靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響,可在700K的高溫下使用。 隨著體單晶及其同質外延SiC材料性能的不斷提高,可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO:TIO和Ni膜,並可由此製成SiC金屬-半導體-金屬紫外輻射探測器。

半導體SiC的禁頻寬度為3.25eV,具有高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優點,特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測器只對波長400nm一下的輻射選擇性接收,其紫外輻射的接收與矽探測器相比,要大兩個數量級,並且不需要表面加工處理,可保持長期的穩定性。另外,靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響,可在700K的高溫下使用。
隨著體單晶及其同質外延SiC材料性能的不斷提高,可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO:TIO和Ni膜,並可由此製成SiC金屬-半導體-金屬紫外輻射探測器

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