包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術指標在反覆高速寫入和擦除時會影響產品質量和壽命.
新的技術可以更快地完成存取,5毫秒記憶體取10000次.
這種ReRAM未來可以替代目前的FlashRAM,並且成本較低,表現也非常突出.
日本Elpida公司,夏普公司和東京大學於2010年10月宣布共同開發次世代的ReRAM存儲器,並希望在2013年量產實用化。
這種新型的存儲器消費電流更低,比現有的手機採用的NAND型存儲速度快約1萬倍。實用化後，將提高手機下載高畫質動畫速度，並且消耗更低的電量，從而可以延長手機的使用時間。
ReRAM由夏普公司研究材料技術和製造方法，Elpida公司提供存儲器的加工組合技術，東京大學等學術研究機構提供技術上的支持。
ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合於一身。換句話說，關閉電源後存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一台配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基於憶阻器原理，致力於商業化ReRAM的企業包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器；電路的四大基本變數則是電流、電壓、電荷和磁通量。任教於加州大學伯克利分校，並且是新竹交通大學電子工程系榮譽教授的蔡少堂（Leon chua），37年前就預測有第四個元件的存在，即憶阻器（memristor），實際上就是一個有記憶功能的非線性電阻器。
惠普公司實驗室的研究人員最近證明憶阻器的確存在，研究論文在5月1日的《自然》期刊上發表。加州大學伯克利分校電機工程和計算機科學系教授蔡少棠，1971年發表《憶阻器：下落不明的電路元件》論文，提供了憶阻器的原始理論架構，推測電路有天然的記憶能力，即使電力中斷亦然。惠普實驗室的論文則以《尋獲下落不明的憶阻器》為標題，呼應前人的主張。蔡少棠接受電話訪問時表示，當年他提出論文後，數十年來不曾繼續鑽研，所以當惠普實驗室人員幾個月前和他聯繫時，他吃了一驚。
憶阻器可使手機將來使用數周或更久而不需充電；使個人電腦開機後立即啟動；筆記型電腦在電池耗盡之後很久仍記憶上次使用的信息。憶阻器也將挑戰掌上電子裝置目前普遍使用的快閃記憶體，因為它具有關閉電源後仍記憶數據的能力。利用惠普公司這項新發現製成的晶片，將比今日的快閃記憶體更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。憶阻器跟人腦運作方式頗為類似，惠普說或許有天，電腦系統能利用憶阻器，像人類那樣將某種模式（patterns）記憶與關聯。
