基本介紹
Quick Charge 是專為配備 Qualcomm驍龍處理器的終端而研發的新一代快速充電技術。Qualcomm發布了三代快速充電技術，分別為Quick Charge 1.0，Quick Charge 2.0和Quick Charge 3.0。其中，Quick Charge 3.0與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達27%，或減少功率損耗最高達45%；而比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。目前包括驍龍820、620、618、617和430在內的多款驍龍處理器已經支持Quick Charge 3.0，而搭載這一技術的移動終端已於2016年上市。
技術發展
Quick Charge 1.0
Quick Charge 1.0是驍龍移動處理器電源管理功能的一部分，最高支持10W的充電功率，這意味著在5V的充電電壓下，充電電流可以達到2A。Quick Charge 1.0藉助一個電源管理積體電路（PMIC）工作，可以讓設備的充電速度提升 40%。這意味著原本一台 4 小時充滿的設備，不到 3 小時就可以完成。
Quick Charge 2.0
與未採用該技術的產品相比，採用Quick Charge 2.0的產品充電時間最多可縮短75%。Quick Charge 1.0技術的充電功率約為10瓦，主要針對智慧型手機和平板電腦設計，而Quick Charge 2.0則可提供最高60瓦的功率，不僅能夠加快智慧型手機和平板電腦的充電速度，而且增加對超薄筆記本等更大型移動計算終端的支持。
Quick Charge 2.0和Quick Charge 1.0設備之間也相互兼容，但只有搭配支持Quick Charge 2.0的設備時，Quick Charge 2.0充電器才能發揮最高3A的充電電流。
Quick Charge 3.0
在2015年9月15日，Qualcomm Technologies宣布推出下一代快速充電技術Quick Charge 3.0。作為快速充電技術的第三代產品，Quick Charge 3.0在同類產品中首次採用最佳電壓智慧型協商（IntelligentNegotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。INOV是由QualcommTechnologies開發的全新算法，旨在幫助便攜設備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時刻實現最佳功率傳輸，且最大化效率。
藉助INOV和其他先進技術的Quick Charge 3.0，可實現比Quick Charge 2.0最高達38%的效率提升，同時還採用其他方法幫助保護電池壽命周期。此外，當與Qualcomm Technologies最新的、先進並聯充電配置一起使用時，Quick Charge 3.0可以實現：與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達27%，或減少功率損耗最高達45%；比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。
Quick Charge 3.0還帶來了諸多方面的提升：在Quick Charge 2.0的基礎上增強了靈活性，特別是在充電選項方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓，達到預期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率並改善熱表現。
Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連線器（包括USB Type-C）前向和後向兼容，並且擁有同樣的超快充電速度，以及獨立電路，為OEM廠商提供更靈活的選擇，此外還有幫助達到質量和安全標準的UL認證。
目前包括驍龍820、620、618、617和430在內的多款驍龍處理器已經支持Quick Charge 3.0，而搭載這一技術的移動終端預計將於2016年上市。相信屆時人們將感受到Quick Charge 3.0強大的實力，而Qualcomm在快速充電領域的技術優勢也將被進一步放大。
Quick Charge 4.0
按照此前高通發布的信息就來看，Quick Charge 4.0加入了Dual Charge技術，相比Quick Charge 3.0來說，充電速度可提升20%，效率則能提升30%。同時，Quick Charge 4.0還加入了對USB Type-C和USB-PD的支持。使用Quick Charge 4.0能在大約15分鐘或更短時間內，充入高達50%的電池電量。 此外，Quick Charge 4.0據稱還將支持最佳電壓智慧型協商算法（INOV），可為電池提供最適合的充電電壓。
