發布
2016年11月17日，高通正式公布了驍龍835處理器。
驍龍835已經開始進行生產，2017年上半年正式出貨。
性能
製程工藝
高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835晶片面積將變得更小。
2016年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的晶片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過採用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的晶片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。製程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合，預計將會提升電池續航。
核心
驍龍835驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。
快速充電
新的驍龍835處理器，支持Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的晶片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。
Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，適配範圍更廣泛。
效率提升
高通並未公布驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會帶來更好的性能，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基於14nm製造工藝打造。 三星表示10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%。
記憶體頻寬
驍龍835會率先支持傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，頻寬提升明顯。
套用
索尼Xperia XZ Premium成為首款搭載高通驍龍835處理器的智慧型手機設備 ，小米，一加，努比亞，三星，LG和HTC也已經推出搭載驍龍835的智慧型手機。
2017年1月4日，美國高通公司在CES 2017（國際消費電子展）上與ODG（Osterhout Design Group）共同宣布，其R-8和R-9將成為首批發布的搭載驍龍835處理器的終端。驍龍835採用10納米FinFET製程技術，支持外形小巧的下一代頂級消費類終端。
另外也有筆記本廠商搭載該處理器，不過部分功能有所閹割，比如華碩NovaGo ，惠普Envy x2 等。
2017年2月 15日，Qualcomm（高通）與華為、沃達豐共同宣布，在土耳其成功開通全球首個LAA商用網路（LTE Assisted Access，免授權頻譜LTE輔助接入），這是基於3GPP R13標準的首個LAA商用就緒的網路，該網路基於沃達豐土耳其子網在伊斯坦堡沃達豐 Arena部署的LampSite，利用5GHz的40MHz免授權頻譜和2.6GHz的15MHz授權頻譜進行三載波聚合（3CC CA），配合內置X16 LTE Modem的Qualcomm Snapdragon 835晶片手機終端，現場峰值下載速率高達370Mbps。
2018年2月23日，惠普首款採用驍龍835的ARM Windows 10 PC在開啟預約，約合人民幣6400元。
點評
幾乎占據安卓手機主導地位的高通公司，每一次發布的旗艦處理器都成為業界關注的焦點。驍龍835的誕生，在滿足日常使用下，對拍照/網路進行了有質的提升，機器學習的加入可了解用戶的需求，達到更快捷方便的服務。為什麼高通要在CES還未正式開幕時發布這款旗艦處理器，看來這次的展會將會少不了他的表現。（ 瑞豪，來源新浪 ）
2017年2月，由TD-LTE全球發展倡議(GTI，Global TD-LTE Initiative)舉辦的GTI年度創新大獎正式揭曉。集成驍龍X16 LTE數據機、支持連線性能的Qualcomm最新旗艦移動平台——驍龍835，榮獲了2016年度GTI創新技術產品獎(GTI Awards 2016 on Innovative Technical Product)。
針對 VR、AR 做了哪些改善?
高通在驍龍 835 上繼續大力推動對 VR 和 AR 套用的支持，除了針對自家的 VR 一體機方案，也對 Google 的 Daydream 進行了最佳化。
由於 VR 對 3D 畫面、3D 音頻、空間定位以及手勢辨識等方面的需求，對 SoC 的性能及各個處理元件之間的協作有很高要求。
影響 VR 體驗的一個重要參數是延遲(從運動到畫面顯示的時間)，在這方面，高通表示，835 的延遲為 15ms，相比之下 820 為 18ms。
驍龍835此外，高通還推出一個名為 Visual Inertial Odometry(VIO，視覺慣性測量)的系統，用以追蹤頭部 6-DOF(6 自由度)運動。這個系統使用 Hexagon 682 DSP 來處理鏡頭約 30fps 的視頻流，同時使用始終喚醒(All-Ways Aware)的 DSP 以 800Hz 或 1000Hz 的速率捕捉加速度計和陀螺儀的數據。將這些數據相結合，就能得到 6 自由度的位置資訊。
高通表示，使用 DSP 來達到這項功能，效率幾乎是使用 CPU 進行處理的 4 倍。
驍龍835高通認為電腦視覺是 VR 和 AR 的重要部分。在這方面，高通在中國投資了專注眼球追蹤技術的七鑫易維，透過眼球追蹤技術為 VR 加入注視點渲染(foveated rendering)功能，讓用戶視野聚焦的中心畫面渲染得更清晰，同時還能在互動上加入新的方式。
此外，每個人都有不同的瞳距(IPD)，而且頭顯戴在頭上時也會挪動，透過電腦視覺可以動態且精確地針對 IPD 進行調整。
另外，透過電腦視覺實現的手勢追蹤，可以讓用戶無需用到實體控制器就能與虛擬物體互動。來自 DSP 的電腦視覺數據還可以被用做渲染用戶在虛擬空間中的手，進而改善沉浸體驗。
移動 VR 被認為是 VR 行業的未來，但其體驗在很多層面都遜於 PC VR，改善體驗成為當務之急。目前 Android 旗艦手機和高端 VR 一體機大都採用高通晶片，在雷鋒網看來，835 的推出將改善移動 VR 的體驗，推動 VR 普及。
數據機
Qualcomm® 驍龍™ X16 LTE 數據機
數據功能
下行鏈路功能
4x20 MHz 載波聚合
可達 256-QAM
LTE Category
LTE Category 16（下行鏈路）
LTE Category 13（上行鏈路）
上行鏈路功能
Qualcomm® Snapdragon™ Upload+
2x20 MHz 載波聚合
可達 64-QAM
峰值下載速率
1 Gbps
峰值上傳速率
150 Mbps
蜂窩網路
支持蜂窩網路技術
LTE FDD
LTE TDD
LTE-U
LAA
LTE Broadcast
WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA)
TD-SCDMA
CDMA 1x
EV-DO
GSM/EDGE
Wi-Fi
Wi-Fi 標準
802.11ad
802.11ac Wave 2
802.11a
802.11b
802.11g
802.11n
Wi-Fi 頻段
2.4 GHz
5 GHz
60 GHz
MIMO 配置
2x2 (2-數據流)
Wi-Fi 功能
MU-MIMO
多千兆比特 Wi-Fi
定位
衛星支持
GPS
格洛納斯
北斗
伽利略
QZSS
定位支持
Qualcomm® Location
攝像頭
百萬像素支持
最高支持 1600 萬像素雙攝像頭
最高支持 3200 萬像素攝像頭
圖像感測處理器
Qualcomm Spectra™ 180 圖像感測處理器
2x 圖像感測處理器（ISP）
14 比特
Qualcomm® Clear Sight™ 攝像頭功能
攝像頭功能
混合自動對焦
光學變焦
硬體加速人臉檢測
HDR 視頻錄製
視頻
視頻拍攝
最高支持 4K 每秒 30 幀超高清視頻拍攝
視頻回放
最高支持 4K 每秒 60 幀超高清視頻拍攝
編解碼器支持
H.264 (AVC)
H.265 (HEVC)
VP9
顯示
對終端顯示的最高支持
4K 超高清畫質體驗
高達 4K
對外接顯示的最高支持
4K 超高清
高達 4K
UI FPS
最高支持 60 FPS
色深
最高支持 10-bit
色域
Rec2020
標準
可支持 UltraHD Premium
音頻
音頻技術
Qualcomm Aqstic™ 音頻技術
Qualcomm® aptX™ 編碼技術
Qualcomm Aqstic™ 音頻編碼回放支持
動態範圍：130dB
THD+N: -11-dB
原生 DSD 支持
DXD (384kHz/24bit)
雙振盪器支持(44.1kHz/48kHz)
Qualcomm Aqstic™ Speaker 功放輸出功率
支持高達 4W 輸出功率
揚聲器保護
Qualcomm® aptX™ 回放技術
aptX Classic
aptX HD
充電
Qualcomm® Quick Charge™ 支持
Qualcomm® Quick Charge™ 4 技術
Qualcomm® WiPower™ 支持
Qualcomm® WiPower™ 無線充電
