概念
MOS級化學試劑是“金屬-氧化物-半導體”(Metal-oxide-semiconductor)電路專用的特純試劑的簡稱,是為適應大規模積體電路(LSI)的生產而出現的一個新的試劑門類。
定義
它屬於生產金屬氧化物半導體電路專用的化學品,是一種高純試劑。其純度要求單項金屬離子雜質含 量均在10-7%~10-9%範圍內。而更重要的是控制產品內微粒雜質(即塵埃和不溶顆粒)的個數,應當符合美國材料試驗學會(ASTM)“0”級標準,即對5~10微米大小的顆粒,每100毫升中最大允許在2700個以下,而對5微米大小的顆粒,要求在304個以下。
用途
MOS試劑主要用於大規模、超大規模積體電路的研究和生產。