相關詞條
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刷新[DRAM刷新]
DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用“讀出...
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存儲器
:TTL型和ECL型.金屬氧化物半導體存儲器(簡稱MOS存儲器):靜態MOS存儲器和動態MOS存儲器。[2] (2）磁表面存儲器用磁性材料做成...(DRAM)的工作原理。動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條...
概述 結構組成 分類 工作原理 作用 -
《積體電路設計寶典》
中常用的方程. 1.1 mos管的電流方程 1.1.1... 小尺寸mos管的電流方程 1.2 cmos倒相器的交、直流特性... 動態隨機存取存儲器（dram） 6.3.1 dram存儲單元的結構 6.3.2...
簡介 目錄 -
ic積體電路
大規模集成，其主要產品為mos型積體電路。mos電路又分為nmos、pmos...mos器件構成的積體電路；參加導電的是電子。（2）pmos型是在半導體矽片上，以p型溝道mos器件構成的積體電路；參加導電的是空穴。（3...
ic積體電路特點 ic積體電路套用 ic積體電路分類 ic積體電路的封裝種類 -
隨機存取存儲器
(DRAM)動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流...×4位)動態存儲單元（DRAM）●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲...
特點 類別 組成 區別 存儲單元 -
固態電子學基礎
,CBiCMOS,DRAM,SRAM,UV-EPROM...電容(MOSC)400 引言401 矽VLSI MOS402...MOS電容耗盡和高頻電容413 MOSC的能帶圖420...
內容簡介 圖書目錄 -
系統記憶體
），2114（1K×4位）。動態存儲單元（DRAM）1）存貯原理：利用MOS管...功能存儲數據的。動態隨機存儲器（DRAM）動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息...
特點 類別 組成 區別 存儲單元 -
存儲器件
:TTL型和ECL型.金屬氧化物半導體存儲器(簡稱MOS存儲器):靜態MOS存儲器和動態MOS存儲器。(2）磁表面存儲器用磁性材料做成的存儲器稱為磁...指令。也與外存交換數據。目前一般由MOS存儲器組成。3.外存儲器也稱為輔助...
存儲器概述 存儲器的分類 存儲器的分級結構 存儲器的工作原理 存儲器發展趨勢 -
主存儲器
大規模積體電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶片（DRAM）。1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶片已經開始商業性生產，16MbDRAM晶片已成為市場主流產品。DRAM晶片的存取...
發展簡介 技術指標 產品分類 連線控制 套用技術
