理想情況下，MIS結構滿足：
1. 金屬與半導體之間功函式差為零。即金屬與半導體之間無電壓，也就是說不會對絕緣層加壓
2. 絕緣層內沒有電荷存在，完全不導電
3. 絕緣層與半導體之間的界面處不存在任何界面態
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