IGBT吸收電容

IGBT吸收電容具有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感，可承受較高的du/dt 能承受高脈衝電，ESR小，具有自愈性。適用所有IGBT模組區域尖峰電壓的吸收保護

材料用途

廣泛變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發電變流器等行業的“across-the-bus”功率線路設計，適用所有IGBT模組區域尖峰電壓的吸收保護

產品參數

額定電壓 700V.DC~3000V.DC

額定容量 0.0047μF~10μF

溫度範圍 -40°C~85°C

容量偏差 ±5%, ±10%

極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃

極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃

損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4

絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S

預期壽命 100000h at Ur and 70℃ [1]