Crossbar Inc

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Crossbar Inc.是RRAM技術的領導廠商,被公認為是於未來存儲系統上取代傳統快閃記憶體技術的領跑者。Crossbar RRAM能夠在郵票大小的晶片上實現太位元組(terabyte)存儲,而足夠低的功耗可大規模運用於物聯網,從而易於被定製到一系列套用中。從可穿戴套用的SoC嵌入式存儲,到雲數據中心的超高密度SSD,Crossbar正在催生一個存儲器創新的新紀元。

CrossbarInc,中文營業執照註冊名稱為:擴絡思巴半導體科技(上海)有限公司,成立於2010年,總部設在美國加利福尼亞州聖克拉拉,現有員工50名,平均擁有超過10年以上非易失性記憶體技術經驗。Crossbar的投資者包括:ArtimanVentures、凱鵬華盈(KPCB)、TychePartners、賽富(SAIFPartners)、KoreaInvestmentPartners、寬頻資本(CBC-Capital)、元禾控股(OrizaHoldings)、CheerfulLink、TaoInvest、密西根大學和CorrelationVentures。CrossbarInc是RRAM(阻變式存儲器)技術的業內領導者,擁有密西根大學RRAM專利獨家授權,目前擁有190項專利申請,並有100項獲批。Crossbar已於2016年3月22日正式宣布成立上海辦公室,進軍中國存儲市場。
CrossbarInc.是RRAM技術的領導廠商,被公認為是於未來存儲系統上取代傳統快閃記憶體技術的領跑者。CrossbarRRAM能夠在郵票大小的晶片上實現太位元組(terabyte)存儲,而足夠低的功耗可大規模運用於物聯網,從而易於被定製到一系列套用中。從可穿戴套用的SoC嵌入式存儲,到雲數據中心的超高密度SSD,Crossbar正在催生一個存儲器創新的新紀元。

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