基本信息
家庭:MOSFET,GaNFET - 單
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:20A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3720pF @ 10V
安裝類型:通孔
封裝/外殼:2-16C1B (TO-247 N)
包裝:管件
供應商設備封裝:TO-3P(N)