基於高阻矽襯底的微波傳輸線和數字移相器
在高阻矽襯底上微波傳輸線以及工作在7.5～8.5GHz頻帶的四位數字移相器。測試表明,在高阻矽襯底上製備的50Ω微帶線在5～15GHz頻率範圍內的插入損耗低於0.8dB/cm;在同樣襯底上用混合集成技術製作的7.5～8.5GHz四位數字移相器的各狀態插入損耗為(7.5±3)dB,回波損耗大於12dB,均方根(RMS)相位誤差小於5°。具有良好的微波器件性能。
在高阻矽襯底上製備低微波損耗的共面波導
分別在普通的低阻矽襯底、帶有3μm厚氧化矽介質層的低阻矽襯底和高阻矽襯底上設計並製備了微波傳輸共面波導。結果表明,低阻矽襯底導致過高的微波損耗從而不能使用,通過加氧化矽介質層,微波損耗可以大大減少,但是需要較厚的氧化矽厚度.直接製備在高阻矽襯底上的共面波導在所測試的26GHz的頻率範圍內獲得低於2dB/cm的微波損耗,而且工藝十分簡單。
襯底
化工學襯
矽襯底目前有部分LED晶片採用矽襯底。矽襯底的晶片電極可採用兩種接觸方式，分別是L接觸（Laterial-contact,水平接觸）和V接觸（Vertical-contact，垂直接觸），以下簡稱為L型電極和V型電極。通過這兩種接觸方式，LED晶片內部的電流可以是橫向流動的，也可以是縱向流動的。由於電流可以縱向流動，因此增大了LED的發光面積，從而提高了LED的出光效率。因為矽是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。碳化矽襯底碳化矽襯底（美國的CREE公司專門採用SiC材料作為襯底）的LED晶片電極是L型電極，電流是縱向流動的。採用這種襯底製作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。採用碳化矽襯底的LED晶片如圖2所示。圖2採用藍寶石襯底與碳化矽襯底的LED晶片碳化矽襯底的導熱性能（碳化矽的導熱係數為490W/(m·K)）要比藍寶石襯底高出10倍以上。藍寶石本身是熱的不良導體，並且在製作器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化矽襯底的晶片電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對於藍寶石襯底而言，碳化矽製造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。SiC作為襯底材料套用的廣泛程度僅次於藍寶石，目前還沒有第三種襯底用於GaNLED的商業化生產。SiC襯底有化學穩定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見光等，但不足方面也很突出，如價格太高，晶體質量難以達到Al2O3和Si那么好、機械加工性能比較差，另外，SiC襯底吸收380納米以下的紫外光，不適合用來研發380納米以下的紫外LED。由於SiC襯底有益的導電性能和導熱性能，可以較好地解決功率型GaNLED器件的散熱問題，故在半導體照明技術領域占重要地位。
