什麼是LED晶片
也稱為LED發光二極體、LED二極體、LED發光晶片，是LED燈的核心組件，也就是指的P-N結。其主要功能是：把電能轉化為光能，晶片的主要材料為單晶矽。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它裡面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連線起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用於這個晶片的時候，電子就會被推向P區，在P區里電子跟空穴複合，然後就會以光子的形式發出能量，這就是LED發光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
LED晶片歷史
led50年前人們已經了解半導體材料可產生光線的基本知識，1962年，通用電氣公司的尼克·何倫亞克（Nick HolonyakJr.）開發出第一種實際套用的可見光發光二極體。LED是英文light emitting diode（發光二極體）的縮寫，它的基本結構是一塊電致發光的半導體材料，置於一個有引線的架子上
，然後四周用環氧樹脂密封，即固體封裝，所以能起到保護內部芯線的作用，所以LED的抗震性能好。
最初LED用作儀器儀表的指示光源，後來各種光色的LED在交通信號燈和大面積顯示屏中得到了廣泛套用，產生了很好的經濟效益和社會效益。以12英寸的紅色交通信號燈為例，在美國本來是採用長壽命、低光效的140瓦白熾燈作為光源，它產生2000流明的白光。經紅色濾光片後，光損失90%，只剩下200流明的紅光。而在新設計的燈中，Lumileds公司採用了18個紅色LED光源，包括電路損失在內，共耗電14瓦，即可產生同樣的光效。汽車信號燈也是LED光源套用的重要領域。
分類
MB晶片
定義：MB 晶片﹕Metal Bonding (金屬粘著）晶片﹔該晶片屬於UEC 的專利產品
特點：1、 採用高散熱係數的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱係數相差3~4 倍)，更適應於高驅動電流領域。4、底部金屬反射層﹐有利於光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐套用於High power 領域﹐eg : 42mil MB
GB晶片
定義：GB 晶片﹕Glue Bonding (粘著結合）晶片﹔該晶片屬於UEC 的專利產品
特點： 1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)晶片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS晶片的GaP襯底.
LED晶片2﹕晶片四面發光﹐具有出色的Pattern圖
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS晶片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極TS晶片定義和特點
定義：TS 晶片﹕ transparent structure(透明襯底)晶片﹐該晶片屬於HP 的專利產品。
特點：1.晶片工藝製作複雜﹐遠高於AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.套用廣泛
定義：AS 晶片﹕Absorbable structure (吸收襯底）晶片﹔經過近四十年的發展努力﹐台灣LED光電業界對於該類型晶片的研發﹑生產﹑銷售處於成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發水平基本處於同一水平﹐差距不大. 大陸晶片製造業起步較晚﹐其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距﹐在這裡我們所談的AS晶片﹐特指UEC的AS晶片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點： 1. 四元晶片﹐採用 MOVPE工藝製備﹐亮度相對於常規晶片要亮
2. 信賴性優良
3. 套用廣泛
晶片種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs
重要參數
1、正向工作電流If
它是指發光二極體正常發光時的正向電流值。在實際使用中應根據需要選擇IF在0.6·IFm以下。
2、正向工作電壓VF
參數表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。
3、V-I特性
發光二極體的電壓與電流的關係，在正向電壓正小於某一值(叫閾值)時，電流極小，不發光。當電壓超過某一值後，正向電流隨電壓迅速增加，發光。
4、發光強度IV
發光二極體的發光強度通常是指法線(對圓柱形發光管是指其軸線)方向上的發光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發光1坎德拉(符號為cd)。由於一般LED的發光二極體強度小，所以發光強度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
5、LED的發光角度
-90°- +90°
6、光譜半寬度Δλ
它表示發光管的光譜純度。
7、半值角θ1/2和視角
θ1/2是指發光強度值為軸向強度值一半的方向與發光軸向(法向)的夾角。
8、全形
根據LED發光立體角換算出的角度，也叫平面角。
9、視角
指LED發光的最大角度，根據視角不同，套用也不同，也叫光強角。
10、半形
法向0°與最大發光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是最大發光強度值與最大發光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致最大發光角度並不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是最大發光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
11、最大正向直流電流IFm
允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。
12、最大反向電壓VRm
所允許加的最大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發光二極體可能被擊穿損壞。
13、工作環境topm
發光二極體可正常工作的環境溫度範圍。低於或高於此溫度範圍，發光二極體將不能正常工作，效率大大降低。
14、允許功耗Pm
允許加於LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發熱、損壞。
晶片尺寸
大功率LED晶片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當然晶片尺寸是可以訂製的，這只是一般常見的規格。mil是尺寸單位，一個mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率晶片的常用尺寸規格。理論上來說，晶片越大，能承受的電流及功率就越大。不過晶片材質及製程也是影響晶片功率大小的主要因素。例如CREE 40mil的晶片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的晶片，最多能承受到2W。
發光亮度
一般亮度：R(紅色GaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；
高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaAlAS 660nm )；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaAlAS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等；
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。
晶片襯底
對於製作LED晶片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、矽（Si）、碳化矽（SiC）。
藍寶石的優點：1.生產技術成熟、器件質量較好 ;2.穩定性很好，能夠運用在高溫生長過程中; 3.機械強度高，易於處理和清洗。
藍寶石的不足：1.晶格失配和熱應力失配，會在外延層中產生大量缺陷；2.藍寶石是一種絕緣體，在上表面製作兩個電極，造成了有效發光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，製作成本高。
矽是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化矽襯底（CREE公司專門採用SiC材料作為襯底）的LED晶片，電極是L型電極，電流是縱向流動的。採用這種襯底製作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。優點： 碳化矽的導熱係數為490W/m·K，要比藍寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化矽製造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。
如何評判
led晶片的價格：一般情況系下方片的價格要高於圓片的價格，大功率led晶片肯定要高於小功率led晶片，進口的要高於國產的，進口的來源價格從日本、美國、台灣依次減低。
led晶片的質量：評價led晶片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從led晶片封裝的成品率來計算。
日常使用
紅燈：9mil正規方片，（純紅）波長：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高達1000-1200mcd；
綠燈：12mil正規方片，（純綠）波長：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高達2000-3000mcd；
性能：具有亮度高、抗靜電能力強、抗衰減能力強、一致性好等特點，是製作led招牌、led發光字的最佳選擇。
製造流程
總的來說，LED製作流程分為兩大部分：
首先在襯底上製作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準備好製作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之後，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化矽和矽襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應物（前驅物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應，將所需的產物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是製作LED外延片最常用的設備。
然後是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是製作LED晶片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然後對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED晶片。如果晶片清洗不夠乾淨，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻後的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業內容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發光區殘多出金屬。
晶片在前段工藝中，各項工藝如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶片電極刮傷情形發生。
製作工藝
1.LED晶片檢驗
鏡檢：材料表面是否有機械損傷及麻點麻坑lockhill晶片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整。
2.LED擴片
由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小(約0.1mm)，不利於後工序的操作。採用擴片機對黏結晶片的膜進行擴張，使LED晶片的間距拉伸到約0.6mm。也可以採用手工擴張，但很容易造成晶片掉落浪費等不良問題。
3.LED點膠
在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。對於GaAs、SiC導電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠晶片，採用銀膠。對於藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED晶片，採用絕緣膠來固定晶片。
工藝難點在於點膠量的控制，在膠體高度、點膠位置均有詳細的工藝要求。由於銀膠和絕緣膠在貯存和使用均有嚴格的要求，銀膠的醒料、攪拌、使用時間都是工藝上必須注意的事項。
4.LED備膠
和點膠相反，備膠是用備膠機先把銀膠塗在LED背面電極上，然後把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠高於點膠，但不是所有產品均適用備膠工藝。
5.LED手工刺片
將擴張後LED晶片(備膠或未備膠)安置在刺片台的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED晶片一個一個刺到相應的位置上。手工刺片和自動裝架相比有一個好處，便於隨時更換不同的晶片，適用於需要安裝多種晶片的產品。
6.LED自動裝架
自動裝架其實是結合了沾膠(點膠)和安裝晶片兩大步驟，先在LED支架上點上銀膠(絕緣膠)，然後用真空吸嘴將LED晶片吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上。自動裝架在工藝上主要要熟悉設備操作編程，同時對設備的沾膠及安裝精度進行調整。在吸嘴的選用上儘量選用膠木吸嘴，防止對LED晶片表面的損傷，特別是藍、綠色晶片必須用膠木的。因為鋼嘴會劃傷晶片表面的電流擴散層。
7.LED燒結
燒結的目的是使銀膠固化，燒結要求對溫度進行監控，防止批次性不良。銀膠燒結的溫度一般控制在150℃，燒結時間2小時。根據實際情況可以調整到170℃，1小時。絕緣膠一般150℃，1小時。
銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時(或1小時)打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開。燒結烘箱不得再其他用途，防止污染。
8.LED壓焊
壓焊的目的是將電極引到LED晶片上，完成產品內外引線的連線工作。
LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。鋁絲壓焊的過程為先在LED晶片電極上壓上第一點，再將鋁絲拉到相應的支架上方，壓上第二點後扯斷鋁絲。金絲球焊過程則在壓第一點前先燒個球，其餘過程類似。
壓焊是LED封裝技術中的關鍵環節，工藝上主要需要監控的是壓焊金絲(鋁絲)拱絲形狀，焊點形狀，拉力。
9.LED封膠
LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種。基本上工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點。設計上主要是對材料的選型，選用結合良好的環氧和支架。(一般的LED無法通過氣密性試驗)
LED點膠TOP-LED和Side-LED適用點膠封裝。手動點膠封裝對操作水平要求很高(特別是白光LED)，主要難點是對點膠量的控制，因為環氧在使用過程中會變稠。白光LED的點膠還存在螢光粉沉澱導致出光色差的問題。
LED灌膠封裝 Lamp-LED的封裝採用灌封的形式。灌封的過程是先在LED成型模腔內注入液態環氧，然後插入壓焊好的LED支架，放入烘箱讓環氧固化後，將LED從模腔中脫出即成型。
LED模壓封裝 將壓焊好的LED支架放入模具中，將上下兩副模具用液壓機合模並抽真空，將固態環氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中，環氧順著膠道進入各個LED成型槽中並固化。
10.LED固化與後固化
固化是指封裝環氧的固化，一般環氧固化條件在135℃，1小時。模壓封裝一般在150℃，4分鐘。後固化是為了讓環氧充分固化，同時對LED進行熱老化。後固化對於提高環氧與支架(PCB)的粘接強度非常重要。一般條件為120℃，4小時。
11.LED切筋和劃片
由於LED在生產中是連在一起的(不是單個)，Lamp封裝LED採用切筋切斷LED支架的連筋。SMD-LED則是在一片PCB板上，需要劃片機來完成分離工作。
12.LED測試
測試LED的光電參數、檢驗外形尺寸，同時根據客戶要求對LED產品進行分選。
計數方法
LED晶片因為大小一般都在大小：小功率的晶片一般分為8mil、9mil、12mil、14mil等，跟頭髮細一樣細，以前人工計數時候非常辛苦，而且準確率極底，2012年廈門好景科技有開發一套專門針對LED晶片計數的軟體，儀器整合了高清晰度數位技術來鑑別最困難的計數問題，LED晶片專用計數儀設備是由百萬象素工業專用的CCD和百萬象素鏡頭的硬體，整合了高清晰度圖像數位技術的軟體組成的，主要用來計算出LED晶片的數量。該LED晶片專用計數儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理，準確、快速地計數LED晶片，操作簡單，使用方便。
該設備裝有新型的照明配置，因照明上的均勻一致性及套用百萬象素的CCD及鏡頭，確保了LED晶片成像的清晰度，配合高技術的計數軟體，從而保證了計數的準確度。同時軟體會將每次計數的結果儲存在資料庫中，方便列印與追溯對比分析。
技術參數：
1．成像特性
鏡頭：12mm、F1.8高保真光學鏡頭
CCD規格：300萬像素/500萬像素，真彩
圖像拍攝：手動對焦，可專業級地精細成像LED晶片
圖像調整：手動調整亮度；自動調整對比度、飽和度
2．計數特性：
快速的計算出LED晶片總數，可根據需要折扣數量，並顯示和輸出計數結果
可計數≥5mil (或0.127mm) 不透明LED晶片
可計數雙電極透明的LED晶片
計數速度：2000～8000個LED晶片/s的統計速度，無需掃描即成像即計數
簡便易用：真正一鍵式操作，滑鼠一點，結果即現。軟體界面美觀，操作簡便。
參數釋疑
發光強度IV：
發光二極體的發光強度通常是指法線（對圓柱形發光管是指其軸線）方向上的發光強度。若在該方向上輻射強度為（1/683）W/sr時，則發光1坎德拉（符號為cd）。由於一般LED的發光二極體強度小，所以發光強度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
LED的發光角度：
-90°- +90°
光譜半寬度Δλ:
它表示發光管的光譜純度。
半值角θ1/2和視角：
θ1/2是指發光強度值為軸向強度值一半的方向與發光軸向（法向）的夾角。
全形：
根據LED發光立體角換算出的角度，也叫平面角。
視角：
指LED發光的最大角度，根據視角不同，套用也不同，也叫光強角。
半形：
法向0°與最大發光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是最大發光強度值與最大發光強度值/2所對應的夾角。LED的封裝技術導致最大發光角度並不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是最大發光強度對應的角度與法向0°之間的夾角。
最大正向直流電流IFm：
允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。
允許功耗Pm:
允許加於LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發熱、損壞LED晶片及器件的分選測試
LED的分選有兩種方法：一是以晶片為基礎的測試分選，二是對封裝好的LED進行測試分選。
(1)晶片的測試分選
LED晶片分選難度很大，主要原因是LED晶片尺寸一般都很小，從9mil到14mil(0.22-0.35微米)。這樣小的晶片需要微探針才能夠完成測試，分選過程需要精確的機械和圖像識別系統，這使得設備的造價變得很高，而且測試速度受到限制。如果按照每月25天計算，每一台分選機的產能為每月5KK。
從根本上解決晶片測試分選瓶頸問題的關鍵是改善外延片均勻性。如果一片外延片波長分布在2nm之內，亮度的變化在+15%之內，則可以將這個片子上的所有晶片歸為一檔(Bin)，只要通過測試把不合格的晶片去除即可，將大大增加晶片的產能和降低晶片的成本。在均勻性不是很好的情況下，也可以用測試並把"不合格產品較多"的晶片區域用噴墨塗抹的方式處理掉，從而快速地得到想要的"合格"晶片，但這樣做的成本太高，會把很多符合其他客房要求的晶片都做為不合格證的廢品處理，最後核算出的晶片成本可能是市場無法接受的水平。
(2)LED的測試分選
封裝後的LED可以按照波長、發光強度、發光角度以及工作電壓等進行測試分選。其結果是把LED分成很多檔(Bin)和類別，然後測試分選機會自動地根據設定的測試標準把LED分裝在不同的Bin盒內。由於人們對於LED的要求越來越高，早期的分選機是32Bin，後來增加到64Bin，分Bin的LED技術指標仍然無法滿足生產和市場的需求。
LED測試分選機是在一個特定的工作檯電流下(如20mA)，對LED進行測試，一般還會做一個反向電壓值的測試。如果按照每月25天，每天20小時的工作時間計算，每一台分選機的產能為每月9KK。
大型顯示屏或其他高檔套用客戶，對LED的質量要求較高。特別是在波長與亮度一致性的要求上很嚴格。假如LED封裝廠在晶片採購時沒有提出嚴格的要求，則這些封裝廠在大量的封裝後會發現，封裝好的LED中只有很少數量的產品能滿足某一客戶的要求，其餘大部分將變成倉庫里的存貨。這種情形迫使LED封裝廠在採購LED晶片時提出嚴格的要求，特別是波長、亮度和工作檯電壓的指標;比如，過去對波長要求
是+2nm，已提出+0.5nm的要求。這樣對於晶片廠就產生了巨大的壓力，在晶片銷售前必須進行嚴格的分選。
從以上關於LED與LED晶片分選取的分析中可以看出，比較經濟的做法是對LED進行測試分選。但是由於LED的種類繁多，有不同的形式，不現的形狀，不同的尺寸，不同的發光角度，不同的客戶要求，不同的套用要求，這使用權得完全通過LED測試分選取進行產品的分選變得很難操作。所以問題的關鍵又回到MOCVD的外延工藝過程，如何生長出所需波長及亮度的LED外延片是降低成本的關鍵點，這個問題不解決，LED的產能及成本仍將得不到完全解決。但在外延片的均勻度得到控制以前，比較行之有效的方法是解決快速低成本的晶片分選問題。
常遇問題
LED晶片使用常遇到的問題分析：別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降，首要緣由有銀膠固化不充分，支架或晶片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩定。
1.正向電壓下降 暗光
A：一種是電極與發光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。
B：一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發生在晶片電極製備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印，散布方位。
正向壓下降的晶片在固定電壓測驗時，經過晶片的電流小，然後體現暗點，還有一種暗光表象是晶片自身發光功率低，正向壓降正常。
2.難壓焊：(首要有打不粘，電極掉落，打穿電極)
A：打不粘：首要因為電極外表氧化或有膠
B：有與發光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。
C：打穿電極：通常與晶片資料有關，資料脆且強度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料(如高紅，紅外晶片)較GAP資料易打穿電極，
D：壓焊調試應從焊接溫度，超音波功率，超聲時刻，壓力，金球巨細，支架定位等進行調整。
3.發光色彩區別：
A：同一張晶片發光色彩有顯著區別首要是因為外延片資料疑問，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長是很難確保各區域組分共同。(組分決議禁頻寬度，禁頻寬度決議波長)。
B：GAP黃綠晶片，發光波長不會有很大誤差，可是因為人眼對這個波段色彩靈敏，很簡單查出偏黃，偏綠。因為波長是外延片資料決議的，區域越小，呈現色彩誤差概念越小，故在M/T作業中有附近選取法。
C：GAP赤色晶片有的發光色彩是偏橙黃色，這是因為其發光機理為直接躍進。受雜質濃度影響，電流密度加大時，易發生雜質能級偏移和發光飽滿，發光是開端變為橙黃色。
4.閘流體效應：
A：是發光二極體在正常電壓下無法導通，當電壓加高到必定程度，電流發生驟變。
B：發生閘流體表象緣由是發光資料外延片成長時呈現了反向夾層，有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性，在運用進程是出於南北極電壓不行大，體現為不亮，可用測驗信息儀器從電晶體圖示儀測驗曲線，也能夠經過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現，小電流下的正向壓降顯著偏大，則能夠是該疑問所形成的。
5.反向漏電：
A：緣由：外延資料，晶片製造，器材封裝，測驗通常5V下反向漏電流為10UA，也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。
B：不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃晶片反向擊穿可到達一百多伏，而普晶片則在十幾二十伏之間。
C：外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成的，晶片製造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面，嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區。
廠商介紹
中國台灣晶片廠商
晶元光電（Epistar）簡稱：ES、（聯詮、元坤，連勇，國聯），廣鎵光電（Huga），新世紀（Genesis Photonics），華上（Arima Optoelectronics）簡稱：AOC，泰谷光電（Tekcore），奇力，鉅新，光宏，晶發，視創，洲磊，聯勝（HPO），漢光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）簡稱：TK，曜富洲技TC，燦圓（Formosa Epitaxy），國通，聯鼎，全新光電（VPEC）等。
華興（Ledtech Electronics）、東貝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、億光（Everlight Electronics）、佰鴻（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光寶（Lite-On Technology）、宏齊(HARVATEK)等。
中國大陸晶片廠商
三安光電簡稱（S）、上海藍光（Epilight）簡稱（E）、士蘭明芯（SL）、大連路美簡稱（LM）、迪源光電、華燦光電、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成、甘肅新天電公司、東莞福地電子材料、清芯光電、晶能光電、中微光電子、乾照光電、晶達光電、深圳方大，山東華光、上海藍寶等。
國外知名晶片廠商
CREE，惠普（HP），日亞化學（Nichia），豐田合成，大陽日酸，東芝、昭和電工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，歐司朗（Osram），GeLcore，首爾半導體等，普瑞，韓國安螢（Epivalley）等。
