高壓電子顯微術
超微切片機用來切割在電子顯微鏡下觀察的物體的非常細小的切片的切片機.
簡介
晶體學取向成像掃描電子顯微術SEM的另一個新發展方向是以背散射電子衍射圖樣(EBSP)為基礎的晶體學取向成像電子顯微術(OIM)。在SEM上增加一個可將試樣傾動約70度的裝置，CCD探測器和數據處理計算機系統，掃描並接收記錄塊狀試樣表面的背散射電子衍射花樣(背散射菊池花樣)，按試樣各部分不同的晶體取向分類成像來獲得有關晶體結構的信息，可顯示晶粒組織、晶界和裂紋等，也可用於測定織構和晶體取向。可望發展成SEM的一個標準附屬檔案。1996年美國TSL(TexSemLaboratories,Inc.)公司推出了TSLOIM系統，空間分辨本領已優於0.2μm，比原理相似的電子通道圖樣(ECP)提高了一個量級，在0.4秒鐘內即能完成一張衍射圖樣的自動定標工作。英國牛津集團顯微分析儀器Link-OPAL公司的EBSD結晶學分析系統，目前已用於Si片上Al連線的取向分析，以判斷其質量的優劣及可行性。
相關資料
SEM不但在科學研究而且在工農業生產中得到了廣泛的套用，特別是電子計算機產業的興起使其得到了很大的發展。目前半導體超大規模積體電路每條線的製造寬度正由0.25μm向0.18μm邁進。作為半導體積體電路生產線上Si片的常規檢測工具，美國Amray公司推出了一種缺陷檢測3800型DRT掃描電鏡，採用了加熱到1800K的ZrO/W陰極肖脫基熱場發射電子槍，具有良好的低加速電壓性能：1kV時分辨本領達4nm，而且電子束流的穩定度優於1%/h、可長期連續工作，對直徑為100，125，150，200mm的Si片，每小時可檢測100個缺陷。日立公司為了克服以往在室溫下工作的冷場發射槍測長掃描電鏡(CD-SEM)因需要進行閃爍處理以去除發射尖上所吸附的氣體分子而經常中斷工作、影響在生產線上套用的缺點，最近也推出了這種ZrO/W陰極熱場發射電子槍的S-8000系列CD-SEM。為了克服熱場發射比冷場發射槍電子能量分散大的缺點，設計了阻滯場電磁物鏡，並改進了二次電子探測器，在加速電壓為800V時分辨本領為5nm，可以每小時20片，每片5個檢測點的速度連續檢測125—200mm直徑的Si〔1,28〕。
