電晶體熱阻

電晶體的熱阻（Thermal resist）是關係到電晶體散熱好壞、從而關係到電晶體的功率耗散和輸出功率的一個重要參量。
對於雙極型電晶體，發熱的主要部位是集電結附近（因為集電結是耗盡層，其上加有大的反向電壓，通過的電流又很大，再加上集電極串聯電阻的影響）。電晶體的熱阻由內熱阻和外熱阻串聯構成，但主要是內熱阻；由於Si片一般是通過Au-Sb焊料和Mo緩衝片而燒結到Cu管座上的，故內熱阻就是“Si片- Au - Sb焊料 - Mo緩衝片”構成的熱阻。而外熱阻就是Cu管座與散熱片構成的熱阻。
電晶體在穩態時的內熱阻（RT）可用Si的熱導率κ和Si片的厚度d與面積A來表示：RT = d / κA 。
電晶體在瞬態時的內熱阻（RTS），可用“RT CT充電迴路”來等效電晶體耗散功率對熱容 (晶格吸收熱量)的 “充熱”過程, 則結溫與環境溫度之間的溫差不會立即增大, 而是隨著時間t指數式增大, 從而RTS也指數式增大（CT為熱容量）：RTS = RT{1－exp &#91;-t/(CT RT)&#93;}；當施加功率的時間t >>RTCT時, RTS≈RT，反之則RTS < RT 。