電晶體最大耗散功率

電晶體最大耗散功率，電晶體功率的耗散(消耗)即發熱，如果此熱量不能及時散發掉, 則將使集電結的結溫Tj升高, 這就限制了輸出功率的提高；最高結溫Tjm（一般定為175 oC）時所對應的耗散功率即為最大耗散功率Pcm 。

最大耗散功率（Maximum dissipation power）：
（1）對於雙極型電晶體：
BJT的總耗散功率為Pc=Ie Vbe + Ic Vcb + Ic rcs ≈ Ic Vcb），並且Pc關係到輸出的最大交流功率Po：Po = (供給電晶體的直流功率Pd) – (電晶體耗散的功率Pc) = [η/(1–η)]Pc ∝ Pc，即輸出交流功率與電晶體的耗散功率成正比（η= Po / Pd是轉換效率）。電晶體功率的耗散(消耗)即發熱，如果此熱量不能及時散發掉, 則將使集電結的結溫Tj升高, 這就限制了輸出功率的提高；最高結溫Tjm（一般定為175 oC）時所對應的耗散功率即為最大耗散功率Pcm 。為了提高Po，就要求提高Pc, 但Pc的提高又受到結溫的限制，為使結溫不超過Tjm，就需要減小電晶體的熱阻Rt；最大耗散功率Pcm ∝1/ Rt 。最高結溫Tjm時所對應的最大耗散功率為(Pcms≥Pcm )：穩態時， Pcm = (Tjm–Ta) / Rt ；瞬態時，Pcms = (Tjm–Ta) / Rts 。
提高PCM的措施，主要是降低熱阻RT和降低環境溫度Ta ；同時，電晶體在脈衝和高頻工作時, PC增大, 安全工作區擴大，則最大耗散功率增大，輸出功率也相應提高。
（2）對於MOSFET：
其最大輸出功率也要受到器件散熱能力的限制：Pcm = (Tjm–Ta) / Rt，MOSFET的最高結溫Tjm仍然定為175 oC, 發熱中心是在漏結附近的溝道表面處, 則Rt主要是晶片的熱阻 (熱阻需要採用計算傳輸線特徵阻抗的方法來求出)。