電晶體放大區
在晶體三極體中,放大區也稱為 線性區。即當VCE大於一定的數值時,IC的值只與IB有關。電晶體放大區是電晶體三大區域之一,另兩個分別是飽和區和截止區。在放大區內,發射結正偏,集電結反偏。IC=βIB , 且△IC =β △IB。
在晶體三極體中,放大區也稱為線性區。 IC=βIB △IB。
電晶體放大區
在晶體三極體中,放大區也稱為 線性區。即當VCE大於一定的數值時,IC的值只與IB有關。電晶體放大區是電晶體三大區域之一,另兩個分別是飽和區和截止區。在放大區內,發射結正偏,集電結反偏。IC=βIB , 且△IC =β △IB。
雙極性電晶體(英語:bipolar transistor),全稱雙極性結型電晶體(bipolar junction transistor, BJT),俗...
簡介 基本原理 發展套用 分析方法 結構漂移電晶體是由雜質擴散方法製成的電晶體,由於基區雜質分布不均勻,因此又稱為梯度基區電晶體。在這種電晶體中,由於基區雜質不均勻,因而產生一個電場。少子在基...
簡介 內建電場的形成 漂移電晶體中的少子分布和少子電流 合金擴散電晶體電力電晶體按英文Giant Transistor——GTR,是一種耐高電壓、大電流的雙極結型電晶體(Bipolar Junction Transisto...
電力電晶體簡介 電力電晶體的結構 電力電晶體工作原理 電力電晶體特點由兩個背靠背PN結構成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極體。起源於1948年發明的點接觸晶體三極體,50年代初發展成結型三極體即現在所稱的雙極型晶體...
介紹 分類 特點 影響《電晶體原理》是2016年國防工業出版社出版的圖書,作者是郭澎, 張福海, 劉永。
書籍信息 內容簡介 目錄電晶體輸出,這個是電路控制中的說法。在很多自動化設備中,電路最終都需要對一些執行部件(如電機、電磁鐵)實施控制,電路對這些執行部件的控制可通過繼電器、雙...
簡介 特性電力電晶體按英文Giant Transistor——GTR,是一種耐高電壓、大電流的雙極結型電晶體(Bipolar Junction Transisto...
電力電晶體簡介 電力電晶體的結構 電力電晶體工作原理 電力電晶體特點. [1]截止區和放大區,飽和區為晶體三極體輸出三大特性區域. ... 電晶體截止區 電晶體截止區在晶體三極體中,Vbe Von(開啟電壓)的區域稱為 電晶體截止區.在此區域內,IB=0,Ic幾乎等於0,僅有...
當三極體的集電結電流IC增大到一定程度時,再增大Ib,Ic也不會增大,超出了放大區,進入了飽和區。飽和時,Ic最大,集電極和發射之間的內阻最小,電壓Uc...